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公开(公告)号：CN117936155A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410074687.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯界面的柔性透明神经电极及其制备方法，可以应用在神经科学领域。该制备方法以石墨烯作为所述柔性透明神经电极的主要功能材料，使用微刻痕技术和氧等离子体处理，实现所述柔性透明神经电极的批量化和高质量制备。其中，微刻痕技术通过光刻胶掩膜氧等离子体处理使底层绝缘层上形成对准转移轮廓，多次对准转移小面积石墨烯实现大面积石墨烯的高质量转移；氧等离子体处理技术处理石墨烯表面使金属层和石墨烯形成欧姆接触，大幅度提升电极制备成品率。同时，使用顶层绝缘层/石墨烯/底层绝缘层作为电极的主要功能区，可用于需要同时进行神经电信号记录与光学成像的系统，减少光通量损失，读取的信号质量更高、更可靠。
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公开(公告)号：CN104330440A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410583521.4
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝缘层，该绝缘层制作在衬底支撑层和左金属源电极和右金属漏电极的部分上面，该绝缘层的中间为断开窗口；一有机导电聚合物有源层，该导电聚合物有源层制作在绝缘层断开的窗口内，并覆盖左金属源电极和右金属漏电极，该导电聚合物有源层对电生理活动所引起的离子浓度敏感；一辅助传感器植入目标组织的鞘结构，该鞘结构制作在绝缘层断开一侧的上面，该鞘结构用于辅助整个柔性传感器植入到脑组织深部，以便记录到单个神经元信号。
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公开(公告)号：CN102495121B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110430312.2
申请日：2011-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/403 , G01N27/327
Abstract: 一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。
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公开(公告)号：CN103145092B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310062552.0
申请日：2013-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上，其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中，在印章体上预先制备好了需要的纳米结构，通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面，图形化过程简单，无需附加掩模层，简化了纳米结构制备的工艺流程。
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公开(公告)号：CN102988132A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210548575.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61F9/08 , A61B5/0496 , A61N1/04
Abstract: 一种用于视网膜修复或功能的全透明柔性电极，包括：一衬底支撑层；一第一绝缘层，该第一绝缘层制作在衬底支撑层上面的两侧，该两侧的第一绝缘层之间形成有一窗口，该窗口的深度与第一绝缘层的厚度相同；一透明导电层，该透明导电层制作在第一绝缘层之间的窗口内、该衬底支撑层的表面；一第二绝缘层，该第二绝缘层制作在导电层的中间部位。本发明为探索视网膜在光电信号转换、处理编码等视觉机理方面的研究提供有力的工具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102988039A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210549791.4
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/04
Abstract: 一种制作基于微针阵列皮肤干电极的方法，该方法包括如下步骤：A、选择一硅片；B、将硅片的两面热氧化一层二氧化硅层；C、对硅片在X方向和Y方向分别形成周期性的一预定深度的垂直的划槽，形成二维方柱阵列；D、用硅的各向同性腐蚀液对划片后的硅片进行静态腐蚀，将二维方柱阵列变细变尖；E、用氢氟酸或HF缓冲液将硅片表面的二氧化硅层腐蚀干净，形成电极柱阵列；F、采用磁控溅射的方法，在电极柱阵列表面及背面溅射金属，完成制作。本发明可以批量的低成本的制作基于微针阵列的皮肤干电极阵列，用于脑电、心电、肌电等生理信号检测，满足科研和临床需求。
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公开(公告)号：CN102495121A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110430312.2
申请日：2011-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/403 , G01N27/327
Abstract: 一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。
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公开(公告)号：CN119368916A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310926682.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B23K26/21 , B23K101/36
Abstract: 本公开提供了一种超薄金属电极连线的焊接方法，包括：将圆柱形引线的前端压片，形成面积大于焊接激光的光斑面积的片状结构；将片状结构贴合于超薄金属电极的焊盘放置并压紧；调控焊接激光的功率和聚焦光斑，将片状结构焊接在焊盘上。该方法可实现超薄电极与电极引线之间的焊接，焊接效率高。
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公开(公告)号：CN104330440B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410583521.4
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝缘层，该绝缘层制作在衬底支撑层和左金属源电极和右金属漏电极的部分上面，该绝缘层的中间为断开窗口；一有机导电聚合物有源层，该导电聚合物有源层制作在绝缘层断开的窗口内，并覆盖左金属源电极和右金属漏电极，该导电聚合物有源层对电生理活动所引起的离子浓度敏感；一辅助传感器植入目标组织的鞘结构，该鞘结构制作在绝缘层断开一侧的上面，该鞘结构用于辅助整个柔性传感器植入到脑组织深部，以便记录到单个神经元信号。
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