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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119368916A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310926682.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B23K26/21 , B23K101/36
Abstract: 本公开提供了一种超薄金属电极连线的焊接方法，包括：将圆柱形引线的前端压片，形成面积大于焊接激光的光斑面积的片状结构；将片状结构贴合于超薄金属电极的焊盘放置并压紧；调控焊接激光的功率和聚焦光斑，将片状结构焊接在焊盘上。该方法可实现超薄电极与电极引线之间的焊接，焊接效率高。
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公开(公告)号：CN116288574A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211685442.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C25D5/34 , A61B5/265 , B05D7/24 , B05D3/06 , C25D5/54 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F1/0545 , B22F1/107
Abstract: 本发明提供一种基于银纳米线墨水的临时电互联的方法及应用，该方法包括：对待临时电互联的第一表面和第二表面分别进行亲水处理，得到第一亲水表面和第二亲水表面；对第一亲水表面涂敷银纳米线墨水；将第二亲水表面对准第一亲水表面进行紧贴处理，以使银纳米线墨水填充于第一亲水表面与第二亲水表面之间的间隙；对银纳米线墨水进行固化处理，基于固化后的银纳米线墨水在第一亲水表面与第二亲水表面之间形成电互联，得到临时电互联组件。
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公开(公告)号：CN117257316A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210683145.0
申请日：2022-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种柔性植入式神经微电极的界面修饰方法，应用于半导体技术领域，包括：S1，配制氧化剂溶液A；S2，在制备有柔性植入式神经微电极的晶圆上滴加光刻胶AR‑N 4340直到覆盖整个晶圆，以得到预设厚度的光刻胶掩膜；S3，将氧化剂溶液A滴加到晶圆上需要修饰的柔性植入式神经微电极的记录点处，氧化剂溶液A的液滴完全覆盖记录点；S4，将EDOT单体滴到晶圆上氧化剂溶液A的液滴干燥后的位置，将晶圆放入烘箱中；S5，在烘箱中进行聚合反应，取出后将聚合有PEDOT的位置镜检；S6，将修饰有PEDOT的晶圆进行超声处理，剥离去除非记录点处聚合的PEDOT以及残留的杂质。
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公开(公告)号：CN115227253B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210859703.4
申请日：2022-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种与宏电路高密度互连的柔性微电极阵列，包括：宏电路焊盘阵列，包括：绝缘衬底和多个金属焊盘，多个金属焊盘位于绝缘衬底上且呈阵列分布；多个柔性电极，分别间隔设置于宏电路焊盘阵列上，其中，每个柔性电极包括：多个电极焊盘及与多个电极焊盘一一对应连接的多个电极走线，多个电极焊盘一一对应位于多个金属焊盘上。
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公开(公告)号：CN115227253A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210859703.4
申请日：2022-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种与宏电路高密度互连的柔性微电极阵列，包括：宏电路焊盘阵列，包括：绝缘衬底和多个金属焊盘，多个金属焊盘位于绝缘衬底上且呈阵列分布；多个柔性电极，分别间隔设置于宏电路焊盘阵列上，其中，每个柔性电极包括：多个电极焊盘及与多个电极焊盘一一对应连接的多个电极走线，多个电极焊盘一一对应位于多个金属焊盘上。
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