反射式介质手性超表面
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116338829A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310273218.3

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 本公开提供一种反射式介质手性超表面,包括:衬底层,用于物理支撑作用;反射层,设于衬底层上,用于接收和反射圆偏振光,其中,圆偏振光包括左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光;介质微纳结构层,设于反射层上,用于对左旋方向的圆偏振光和右旋方向的圆偏振光进行差异性散射,以调控圆偏振光的强度。介质微纳结构层包括:阵列排布的纳米棒单元,其中,行与行之间的纳米棒单元沿纳米棒单元的长轴方向错位排列且错位方向相同,构成二维斜方格子周期性排列结构。该反射式介质手性超表面提高了器件的输出效率,减轻了对加工工艺的要求,保障了器件的成品率和量产。

    基于片上光波导的超声波成像芯片

    公开(公告)号:CN117029998A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311027820.5

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本公开提供一种基于片上光波导的超声波成像芯片,包括基底层,底部包层,波导光栅层,以及上包层。基底层用于芯片的物理支撑;底部包层设于基底层上,用于限制光场以及降低传输损耗;波导光栅层设于底部包层上,包括多条波导光栅;上包层设于波导光栅层上,用于接收和放大超声波信号;其中,所述波导光栅用于传输光并在所述超声波信号作用下对光进行调制,能够实现更高性能的超声成像。

    基于泄露波超表面的片上光力器件及其调控方法

    公开(公告)号:CN116880006A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310821169.2

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 本公开提供了一种基于泄露波超表面的片上光力器件,包括:基底层;波导层,设于基底层上,用于传输光;超表面层,设于波导层上;超表面层包括至少一个纳米柱单元结构阵列,用于通过调整纳米柱单元结构阵列中的各个纳米柱单元结构的旋转角度,聚焦从波导层泄露的光。该超表面层结构简单,实现了直接从芯片上到自由空间发射的功能,并产生了高数值孔径聚焦光束,解决了传统物镜体积大及重量重等问题,具有更低成本、更易于集成化与小型化的优势。该方法还提供了一种调控方法,实现的聚焦光束的单独聚焦或多束聚焦光束聚焦于同一点。

Patent Agency Ranking