公开(公告)号：CN112542967A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011366816.8

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宇翔 ,  姚兆林 ,  袁芳 ,  张旭

IPC: H02P6/182 ,  H02P6/34 ,  H02P6/15 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本公开提供一种基于反电动势神经网络的电机换相控制方法，包括：操作S1：记录电机从上一次换相点至过零点之间的第一时间，平均转速，以及负载转矩，并在过零点时发出过零点标示信号；操作S2：根据操作S1所获取的所述第一时间，平均转速，以及负载转矩，预测从所述过零点时至下一次换相点之间的第二时间；以及操作S3：根据所述过零点标示信号和所预测的第二时间，发出下一次换相点的换相信号，完成基于反电动势神经网络的电机换相控制。本公开同时还提供一种基于反电动势神经网络的电机换相控制系统。

公开(公告)号：CN112821197A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011642713.X

申请日：2020-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宇翔 ,  周代兵 ,  陆丹 ,  梁松 ,  赵玲娟 ,  王圩

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/023 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

Abstract: 本公开提供了一种光发射芯片的制作方法，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层，腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无源区，在上光限制层上靠近无源区的一端制作预设长度的光栅，得到光栅层，在该光栅层和无源区上生长电接触层，在该电接触层上刻蚀出与无源区长度相同的多模干涉反射镜，在该电接触层上制作分布反馈激光器和电吸收调制器。本公开可以使芯片结构更加紧凑，性能更加稳定，提高芯片制作地成品率。