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公开(公告)号：CN106622921A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610950230.3
申请日：2016-11-03
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所 , 兰州理工大学
CPC分类号： B05D7/24 , B05D3/002 , B05D3/007 , B05D7/02 , B05D7/14 , B05D2201/02 , B05D2202/00 , B05D2203/30
摘要： 本发明公开了一种快速制备碳纳米管薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一；对基底表面进行拉丝、织构化或抛光处理；步骤二：采用丙酮/乙醇超声清洗以除去基底表面的油污，再用N2吹干；步骤三：将碳纳米管粉末放置到两块已处理的基底之间，再将其进行单向往复对磨，所得薄膜为黑色，和基底结合紧密，薄膜的厚度由涂覆次数来决定。本发明前处理简单且不需要后处理，适合大面积快速制备，可用于金属、陶瓷和聚合物等材质表面的耐磨损和降低摩擦系数。
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公开(公告)号：CN115786848A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211558856.1
申请日：2022-12-06
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明公开了一种利用自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法，属于真空镀膜技术领域和摩擦学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术，在基材表面沉积依次沉积TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良好的结合力，获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具有高致密度和低缺陷，有效提高了3D网络互穿二硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性，提升了薄膜的摩擦寿命，具有优良的摩擦学性能。
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公开(公告)号：CN115663162A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211511024.4
申请日：2022-11-30
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明公开了一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法，是先利用氢/氩等离子体进行刻蚀处理形成富缺陷结构，再使用中频磁控溅射的方法在锰酸锂表面形成稳固均匀的碳薄膜，然后再次经过射频诱导氩等离子体对薄膜进行表面处理形成分级多孔碳结构。将所制备的富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料制备成锂离子半电池，具有导电性高、容量高、首次充放电效率高、循环性能好等优点。而且，本发明制备过程中不涉及液相、高温过程，有效的避免杂质的引入和晶粒长大，实验过程可控性高、效率高、污染小，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114318269B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210003729.9
申请日：2022-01-05
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所 , 内蒙古包钢稀土磁性材料有限责任公司
摘要： 本发明涉及真空表面镀膜技术领域，尤其涉及一种磁性粉体材料表面溅射沉积金属的装置及方法。本发明提供的装置，包括真空腔体、真空泵组、磁控溅射靶、阴极离子源、水冷阳极和设置于所述真空腔体内的样品盛放部件，所述样品盛放部件为样品滚筒，所述样品滚筒的轴线沿水平方向设置，且所述样品滚筒能够绕其轴线转动，所述样品滚筒两端开口，还包括能够驱动所述样品滚筒转动的动力装置；所述阴极离子源与所述磁控溅射靶由所述样品滚筒的同一端开口向内伸入所述样品滚筒中；所述水冷阳极由所述样品滚筒的另一端开口向内伸入所述样品滚筒中。本发明提供的装置能够实现磁性粉体材料的表面高速均匀沉积，提高处理效率，适宜工业生产。
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公开(公告)号：CN114164421A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111532056.8
申请日：2021-12-15
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明涉及一种采用反置换沉积液在铜表面沉积活化薄膜的方法，该方法包括以下步骤：⑴将铜基底经碱性化学除油处理和酸性侵蚀处理后，用水充分清洗，得到清洗后的铜基底；⑵配制反置换沉积液：在1L纯水中加入5~100g镍盐或钴盐、500~2000g络合剂，搅拌均匀即得；⑶将所述清洗后的铜基底直接浸入所述反置换沉积液中进行活化薄膜沉积，沉积完成后，充分清洗后压缩空气吹干，即得活化薄膜。本发明具有反置换沉积液组成简单、操作流程少和成本低等优势，所制备得到的镍或钴活化薄膜具有出色的活化效果，能够在其表面获得致密的具有优异耐蚀性的化学镍磷镀层。
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公开(公告)号：CN111876739B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010773225.6
申请日：2020-08-04
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明提供了一种宽面高利用率矩形阴极靶，包括软铁底板及设置在软铁底板上的中心磁钢，包围中心磁钢的同向多道环形磁钢。环形磁钢的磁场面与软铁底板呈10‑15°的倾角；最外环形跑道磁钢与中心磁钢等高，且由外向内环形跑道磁钢按照每道3㎜的阶梯降低；环形跑道磁钢的宽度由外向内逐渐变小。本发明设计的宽面矩形阴极靶的磁场布置可使平面溅射靶材的利用率到50%以上。将上述宽面矩形阴极靶在初次溅射使用后，将未溅射区域和已溅射区域靶材切割分离，未溅射区域按上述宽面矩形阴极靶的结构拼接后可以再次用作磁控溅射靶材，使靶材的利用率提高到80%以上，不仅提高了镀膜效率，而且极大的节约了资源。
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公开(公告)号：CN113564525A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110844040.4
申请日：2021-07-26
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明涉及一种石墨烯靶材的制备方法，是将石墨烯和乙二醇搅拌混合均匀，干燥至手捏可以成型的至半干状态，然后置于铣好的铜制靶座模具中，加载压力100~110 MPa，保压1~1.5小时，然后在真空中环境中干燥，即得石墨烯靶材。本发明以石墨烯靶材作为溅射碳靶，采用中频磁控溅射技术在基底上溅射沉积碳薄膜，碳薄膜具有良好的结合力，且在较宽的载荷范围内都具有稳定的摩擦学性能：在3‑11N的范围内摩擦系数稳定在0.068~0.072范围，远低于传统磁控溅射沉积的纯碳薄膜。本发明将石墨烯靶材用于溅射沉积碳薄膜，可以直接将石墨烯复合到不含氢碳薄膜中，获得优异摩擦学性能的纯碳薄膜。
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公开(公告)号：CN112375246B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011364088.7
申请日：2020-11-27
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明公开了一种CO2等离子体在大气压下放电修饰聚合物表面的方法，是采用基于大气压放电的等离子体发生器在CO2气流中产生等离子体，并对聚合物（氟硅橡胶或硅橡胶）表面进行修饰，获得低摩擦系数表面的聚合物。该聚合物表面的摩擦系数降低至0.35左右。本发明基于产生的CO2高能粒子对聚合物表面进行轰击，表面键的断裂及合成反应仅由几个原子层完成，因此在保持聚合物本身性能的同时使得其具有良好的粘结性。CO2气体在大气压中放电产生的等离子体与聚合物发生反应还可以降低其摩擦系数，获得具有良好摩擦学性能的表面改性聚合物，为走“既要满足当代人的需要，又不损害后代人满足需要的能力发展的”可持续发展道路做出贡献。
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公开(公告)号：CN112321880B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011358538.1
申请日：2020-11-27
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明公开了一种双金属离子注入改性聚醚醚酮表面的方法，是采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源，在聚醚醚酮表面同时注入Al和Ta两种金属，发挥Al的减磨和Ta耐磨性能，获得具有低摩擦高耐磨性能的改性聚醚醚酮。注入双金属离子改性的聚醚醚酮的摩擦系数从0.6降低至0.3左右，而且测试后的聚醚醚酮几乎看不到磨损痕迹，因而具有低摩擦高耐磨性能，可做为机械、电气、化工、汽车等要求润滑性好的制品，也可以作为桥梁、建筑滑板表面处理的新技术，提高其耐磨和润滑性能。
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