公开(公告)号：CN108400172A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810090438.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 于一榛 ,  何玮 ,  曹高奇 ,  邓双燕 ,  杨波 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。

公开(公告)号：CN109461788A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811226485.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 何玮 ,  邵秀梅 ,  李淘 ,  曹高奇 ,  于一榛 ,  杨波 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明探测器改进了传统外延层结构参数，将n型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见-短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。

公开(公告)号：CN109461785A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811226467.2

申请日：2018-10-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 何玮 ,  邵秀梅 ,  李淘 ,  曹高奇 ,  于一榛 ,  杨波 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明公开了一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明改进了传统外延层结构参数，将p型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见-短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。

公开(公告)号：CN108400172B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201810090438.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 于一榛 ,  何玮 ,  曹高奇 ,  邓双燕 ,  杨波 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器，从上至下其结构依次为：亚波长结构的聚合物和纳米材料、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InP帽层、SiO2介质层、光敏芯片铟柱、读出电路铟柱、读出电路。本发明的优点为：第一，通过集成高折射率的亚波长材料，能够进一步提升传统可见拓展InGaAs器件的量子效率；第二，相比传统增透膜材料，基于亚波长结构的聚合物和纳米材料具有高度的材料和结构调控性，此外具备高生产效率和更低的生产成本；第三，该亚波长结构能够降低探测系统复杂度及尺寸，并与探测器实现工艺兼容。