公开(公告)号：CN109755349B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910030209.5

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 万露红 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  邓双燕 ,  曹高奇 ,  程吉凤

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105 ,  C23C16/513 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl1‑xAs缓冲层，InxGa1‑xAs吸收层，P+型InxAl1‑xAs帽层，氮化硅SiNx钝化膜，P电极，加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化，控制大面阵探测器芯片的翘曲度

公开(公告)号：CN110491950A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910618714.1

申请日：2019-07-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 程吉凤 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  邓双燕 ,  万露红 ,  李淘 ,  马英杰 ,  龚海梅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明公开一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构，该结构是在光敏芯片基底背面集成一种投射红外波段的光学薄膜，通过控制光学薄膜生长厚度，可实现对光学薄膜内应力的调整，从而达到光敏芯片基底背面与正面的应力平衡，实现高平面度的光敏芯片，薄膜厚度推算方法为：通过测量特定工艺参数下不同长膜厚度对应的光敏芯片平面度PV值变化，获得膜厚度与光敏芯片平面度变化关系经验曲线，依据此关系曲线、长膜前光敏芯片PV值推算所需的长膜厚度。本发明具有精确控制、工艺集成性好等特点，解决大面阵光敏芯片的平面度控制难题，为高连通率的焦平面耦合提供新的解决方案。

公开(公告)号：CN109755349A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910030209.5

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 万露红 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  邓双燕 ,  曹高奇 ,  程吉凤

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105 ,  C23C16/513 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl1-xAs缓冲层，InxGa1-xAs吸收层，P+型InxAl1-xAs帽层，氮化硅SiNx钝化膜，P电极，加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化，控制大面阵探测器芯片的翘曲度

公开(公告)号：CN109755327A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910030239.6

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 邵秀梅 ,  万露红 ,  李雪 ,  邓双燕 ,  曹高奇 ,  程吉凤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次为N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl1-xAs缓冲层，InxGa1-xAs吸收层，P+型InxAl1-xAs帽层，多层氧化铝和氮化硅复合膜，P电极，加厚电极。本发明的优点在于：原子层淀积生长的多层氧化铝薄膜具有优秀的台阶覆盖性，薄膜非常平滑且连续无针孔；原子层沉积具有自清洁作用，能去除表面侧面的自然氧化物，使得器件的表面侧面电流得到抑制；由于原子层沉积的自限制性，使得氧化铝生长速率缓慢，所以采用原子层沉积多层氧化铝和感应耦合等离子体沉积氮化硅结合的方式生长多层氧化铝和氮化硅复合膜作为钝化膜的结构，有利于改善台面型延伸波长铟镓砷探测器表面和侧面钝化。