-
公开(公告)号：CN105161217A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394987.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。
-
公开(公告)号：CN106996942B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710277779.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明提供一种光路切换系统，所述光路切换系统至少包括：真空管路；设置在真空管路一端的样品系统腔，用于放置待测样品；设置在所述真空管路上至少两个光源光路腔，用于分别引入不同的光源，其中，每个光源光路腔配备有离子泵和真空阀门；设置在所述真空管路上且位于所述样品系统腔和所述光源光路腔之间的真空调节腔。本发明的光路切换系统可以解决角分辨光电子能谱仪集成不同激励光源后各光源之间的相互切换问题，实现在测试过程中各种光源能够相互自由切换的实际需求。
-
公开(公告)号：CN104831348B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
-
公开(公告)号：CN106996942A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710277779.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/227
CPC classification number: G01N23/2273
Abstract: 本发明提供一种光路切换系统，所述光路切换系统至少包括：真空管路；设置在真空管路一端的样品系统腔，用于放置待测样品；设置在所述真空管路上至少两个光源光路腔，用于分别引入不同的光源，其中，每个光源光路腔配备有离子泵和真空阀门；设置在所述真空管路上且位于所述样品系统腔和所述光源光路腔之间的真空调节腔。本发明的光路切换系统可以解决角分辨光电子能谱仪集成不同激励光源后各光源之间的相互切换问题，实现在测试过程中各种光源能够相互自由切换的实际需求。
-
公开(公告)号：CN108196502B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201711422421.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/05
Abstract: 本发明提供了一种ARPES真空系统、真空安全联锁系统和真空安全联锁方法。所述ARPES真空系统包括真空管路；所述真空管路的首端至末端依次设置有前级机械泵、第一真空规、第一前级真空阀、第二前级真空阀、第三前级真空阀、第一前级分子泵阀、第一分子泵、第二前级分子泵阀、第二真空规、第二分子泵、分子泵阀、离子泵阀、离子泵、样品准备腔、分析腔；所述样品准备腔和分析腔之间设置有腔体阀门，所述准备腔上接有第三真空规和第四真空规，所述分析腔上接有第五真空规第五真空规和吸附泵，所述分析腔和所述吸附泵之间设置有吸附泵阀；所述第一分子泵和所述分析腔之间的所述真空管路上依次设置有冷凝泵阀、冷凝泵和冷凝泵闸板阀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161217B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510394987.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。
-
公开(公告)号：CN104947192A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
-
公开(公告)号：CN104947192B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
-
公开(公告)号：CN108196502A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711422421.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05B19/05
Abstract: 本发明提供了一种ARPES真空系统、真空安全联锁系统和真空安全联锁方法。所述ARPES真空系统包括真空管路；所述真空管路的首端至末端依次设置有前级机械泵、第一真空规、第一前级真空阀、第二前级真空阀、第三前级真空阀、第一前级分子泵阀、第一分子泵、第二前级分子泵阀、第二真空规、第二分子泵、分子泵阀、离子泵阀、离子泵、样品准备腔、分析腔；所述样品准备腔和分析腔之间设置有腔体阀门，所述准备腔上接有第三真空规和第四真空规，所述分析腔上接有第五真空规第五真空规和吸附泵，所述分析腔和所述吸附泵之间设置有吸附泵阀；所述第一分子泵和所述分析腔之间的所述真空管路上依次设置有冷凝泵阀、冷凝泵和冷凝泵闸板阀。
-
公开(公告)号：CN104831348A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.054 seconds)
