-
公开(公告)号：CN104831348A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104947192B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
-
公开(公告)号：CN105161217B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510394987.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。
-
公开(公告)号：CN104947192A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
-
公开(公告)号：CN104831348B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510268586.4
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。
-
公开(公告)号：CN105161217A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394987.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide molecular beam epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.103 seconds)
