公开(公告)号：CN112415784A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011414339.8

申请日：2020-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李文霏 ,  曹溪源 ,  武爱民

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明提供一种非易失性光开关及其制作方法，所述非易失性光开关包括：绝缘埋层；单模波导，位于所述绝缘埋层之上；相变材料微盘，位于所述单模波导之上；以及上包层，覆盖所述相变材料微盘和所述单模波导。相对于现有的硅基光开关，本发明的非易失性光开关具有更小的器件尺寸、消光比大且插入损耗低。

公开(公告)号：CN112736158A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011552811.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张轶锦 ,  曹溪源 ,  武爱民

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种高性能硅基锗探测器及其制备方法，由下至上包括作为探测器制作初始材料包括硅材料(1)、SiO2层(2)和锗层(3)的衬底、作为肖特基接触的金属电极(4)和覆盖于锗层(3)和金属电极(4)上的石墨烯薄膜(5)。本发明通过光子晶体结构设计，使～200nm的超薄锗层结构在1310nm入射光处实现了超高吸收，量子效率不受限于吸收层的厚度；制作工艺无需掺杂，大大简化了工艺成本及制造成本，具有良好的市场应用前景。