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发明公开
一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法无效

公开(公告)号：CN1558260A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410015772.9

申请日：2004-01-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 , 李明 , 崔丽萍 , 李四华

IPC: G02B6/34 , G02B6/10 , G03F7/20 , G03F7/00 , H04B10/12

Abstract: 一种基于紫外光直写技术制作波导布拉格光栅的方法，其特征在于采用掺杂锗的二氧化硅基片，利用集成电路工艺在SiO2基片上镀制一层掩模薄膜，并进行光刻、腐蚀工艺制作出波导布拉格光栅的掩模图形，再利用紫外光源在二氧化硅基片表面上照射，使得二氧化硅基片的掺锗的波导芯层发生光学折射率变化，从而制作出波导布拉格光栅。用该方法制作布拉格光栅不仅简单易行，而且可以制作多种结构、多种参数的波导布拉格光栅，并可实现波导光栅的进一步集成，从而可降低成本，扩大波导光栅的应用范围，提高波导光栅的生产效率和成品率。

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