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公开(公告)号：CN111244761B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202010066837.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343 , H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；在AlAs形核层上生长InSb量子点层。本申请实施例提供的GaSb基InSb量子点的制备方法中，在生长InSb量子点之前先生长原子层尺度的AlAs层，利用AlAs和GaSb之间较大的晶格失配以及表面能差异来形成有效的AlAs形核层；该制备方法既可以改变InSb量子点成核界面的阴离子类型又可以增加InSb量子点生长界面的粗糙度，二者都可以降低In原子的扩散长度，提高InSb量子点的形核中心，从而提高InSb量子点的密度。
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公开(公告)号：CN111244761A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066837.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343 , H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；在AlAs形核层上生长InSb量子点层。本申请实施例提供的GaSb基InSb量子点的制备方法中，在生长InSb量子点之前先生长原子层尺度的AlAs层，利用AlAs和GaSb之间较大的晶格失配以及表面能差异来形成有效的AlAs形核层；该制备方法既可以改变InSb量子点成核界面的阴离子类型又可以增加InSb量子点生长界面的粗糙度，二者都可以降低In原子的扩散长度，提高InSb量子点的形核中心，从而提高InSb量子点的密度。
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公开(公告)号：CN107123714A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710356260.6
申请日：2017-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/305
Abstract: 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
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公开(公告)号：CN107123714B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710356260.6
申请日：2017-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
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