公开(公告)号：CN117350237A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311347277.7

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陶虎 ,  姜万奇 ,  魏晓玲 ,  王雪迎 ,  杨会然

IPC: G06F30/394 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D5/54 ,  G06F30/398

Abstract: 本申请涉及脑机接口领域，尤其涉及一种柔性电极的制备及电化学修饰方法。方法包括：获取清洁后的硅衬底；在清洁后的硅衬底上依次制备金属牺牲层、柔性电极底层绝缘层、金属布线层、金属后端焊层和柔性电极顶层绝缘层，得到柔性电极；制备电镀液；电镀液包括氧化铱电镀液以及聚3,4‑乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸电镀液；通过电化学工作站，基于电镀液和三电极体系对柔性电极进行电化学修饰，得到具有修饰层的柔性电极。本申请可以进一步提高电极的电荷存储量，降低电极阻抗，提升电极的电刺激性能。

公开(公告)号：CN117410028A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311347630.1

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陶虎 ,  姜万奇 ,  魏晓玲 ,  杨会然 ,  王雪迎

IPC: H01B13/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F1/80 ,  G03F7/42 ,  H01B1/04 ,  C01B32/184

Abstract: 本申请涉及脑机接口领域，尤其涉及一种柔性透明电极的制备方法。方法包括：获取清洁后的硅衬底；在清洁后的硅衬底上依次制备第一光刻胶层、金属牺牲层和柔性电极底层绝缘层；在柔性电极顶层绝缘层的第一区域制备石墨烯；制备第二光刻胶层，并对石墨烯进行刻蚀处理，得到石墨烯电极点；制备第三光刻胶层和金属布线层；制备第四光刻胶层和金属后端焊层；制备金属保护层；依次制备柔性电极顶层绝缘层和绝缘层掩膜；进行刻蚀处理，以使石墨烯电极点和金属后端焊层裸露；进行浸泡、刻蚀处理，得到柔性透明电极。本申请通过结合石墨烯材料制作柔性透明神经电极，减小了神经电极的厚度，而且可以避免光学伪影。