公开(公告)号：CN109273585A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810985974.8

申请日：2018-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴禹 ,  应利良 ,  任洁 ,  王镇

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2493

Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法及约瑟夫森结制备方法。薄膜沉积方法包括步骤：1）提供一衬底；2）在第一沉积条件下于衬底表面沉积具有第一应力的第一超导薄膜层；3）在第二沉积条件下于第一超导薄膜层表面沉积具有第二应力的第二超导薄膜层，第一超导薄膜层和第二超导薄膜层的厚度和材质相同，第一应力与第二应力方向相反。本发明通过分步沉积方法沉积薄膜，使得最终制备的薄膜同时在应力和粗糙度上都满足要求，提高超导电路器件的性能及其稳定性。采用本发明的约瑟夫森结制备方法制备出的约瑟夫森结，能有效避免漏电流产生，提高约瑟夫森结的性能。

公开(公告)号：CN119932703A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510118366.7

申请日：2025-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴禹 ,  范云 ,  李清剑 ,  林志荣

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  H01B12/00 ,  H10N60/01 ,  H10N60/85 ,  G06N10/40

Abstract: 本发明提供一种基于种子层的α相钽超导薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、采用直流磁控溅射法，于所述衬底上表面生长铌金属种子层；S3、采用直流磁控溅射法，于所述铌金属种子层远离所述衬底的一面生长α相钽超导薄膜。本发明采用直流磁控溅射工艺依次在衬底上生长铌金属种子层、α相钽超导薄膜，通过引入铌金属种子层，能达到减小α相钽超导薄膜的层间晶格失配，实现室温下制备单一(110)晶相生长的α相钽超导薄膜；本发明还可使用多溅射镀膜腔室的直流磁控溅射设备，采用直流磁控溅射工艺在室温下依次进行溅射，大大降低了设备成本，工艺稳定性高，为超导量子计算的发展提供更为可靠的材料基础。