基于超导纳米单光子探测器的光谱仪

    公开(公告)号:CN118641033A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410747136.2

    申请日:2024-06-11

    Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米单光子探测器的光谱仪,包括:单色仪模块、光耦合模块及探测系统;单色仪模块接收待测光谱,并将待测光谱按照波长从空间上进行分离,输出单色光;光耦合模块设置于单色仪模块的输出端,将单色光聚焦并耦合到探测系统中;探测系统基于超导纳米单光子探测器对输入的光信号进行高灵敏度探测。本发明采用超导纳米单光子探测器对待测光谱进行检测,可在宽光谱范围内实现高吸收效率和探测效率,进而解决光谱测量中信号光谱强度微弱、波长范围广的问题。

    超导纳米线单光子探测器及其制备方法和自对准封装结构

    公开(公告)号:CN117651475A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311664350.3

    申请日:2023-12-06

    Abstract: 本发明提供超导纳米线单光子探测器及其制备方法和自对准封装结构,包括:覆盖硅片表面的图形化金属镜层;覆盖金属镜层和硅片表面的第一介质层;平坦化第一介质层;第一介质层上设置超导薄膜;图形化第一介质层和硅片为锁孔形;金属镜层完全覆盖锁孔形的圆形结构。本发明设置金属镜层覆盖圆形结构,使第一介质层无需进行图形化而直接实现平坦化,提高制备效率;同时通过控制金属镜层的刻蚀时间,减小过刻产生的台阶部高度,避免超导薄膜断裂,提高结构可靠性;另外,利用电感耦合等离子体浅硅刻蚀法刻蚀第一介质层,减少对光刻胶掩膜的腐蚀,降低对设备的要求,提高制备效率;最后,通过共用光刻胶掩膜图形化第一介质层和硅片,节约制备成本。

Patent Agency Ranking