公开(公告)号：CN102832342A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210342947.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  龚岳峰 ,  饶峰 ,  刘波 ,  亢勇 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明提供一种含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括相变材料层和位于其下方的下电极，所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接，所述下电极包括一底部和一与该底部连接的片状侧部，所述片状侧部垂直于所述底部，形成刀片结构，所述片状侧部的顶端与所述TiSiN材料层接触。本发明采用退火增加电极晶粒尺寸从而降低整体器件电阻，并在所述下电极顶端形成TiSiN材料层从而减小有效操作区域。将本发明的相变存储单元应用于相变存储器中，具有低功耗、高密集度和高数据保持能力的优点。