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公开(公告)号：CN112968341B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110138461.5
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01S3/00
Abstract: 一种用于宽带超短激光及其相关应用领域的能量衰减装置，该装置由半波片、单面镀膜的第一楔板偏振片、单面镀膜的第二楔板偏振片及吸收池组成，通过所述半波片对宽带超短激光的偏振方向进行调制，通过所述第一楔板偏振片对宽带超短激光S分量反射光进行检偏，通过旋转所述半波片的角度实现对宽带超短激光脉冲能量的连续衰减调整，并利用所述第二楔板偏振片实现所述第二楔板偏振片的反射光方向与所述第一楔板偏振片入射宽带超短激光平行。上述装置可以降低宽带超短激光传输过程中的能量损耗以及激光系统中光学元件发生损伤的几率，避免宽带超短激光传输过程中产生的色散效应及脉宽展宽，便于对后续光路的准直和调节。
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公开(公告)号：CN112903622B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110096556.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N21/3563 , G01N21/59
Abstract: 一种多光子聚合物的局部聚合度测量装置，包括单脉冲长焦距多光子曝光装置和显微光谱测量装置；所述的单脉冲长焦距多光子曝光装置包括：超快激光器、第一可调波片、偏振片、第二可调波片、快门、聚焦透镜、激光分光镜、供光刻胶样品放置的电控位移台、光电探测器、光束质量分析仪和计算机。本发明可以避免高重频脉冲诱导聚合中可能存在的热效应和非线性副效应的影响，单纯地分析聚合度与激光参量的关系，有助于理解多光子聚合物的特性与激光参量的关系，并加以调控。
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公开(公告)号：CN112595493A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011207685.9
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 一种激光损伤阈值和非线性吸收的共靶面测量装置和方法，装置包括：超快激光器、可调衰减片、快门、聚焦透镜、第一分光镜、第一光电探测器、待测样品、电控位移台、第二分光镜、第二光电探测器、扩束镜组、CCD相机、计算机和光束质量分析仪。沿所述的激光器的激光输出方向上依次是可调衰减片、快门、聚焦透镜、第一分光镜、待测样品、第二分光镜、扩束镜组、CCD相机；采用光束质量分析仪对激光焦点的有效面积进行测量。本发明还采用了同一聚焦光场和像传递法，确保了造成样品损伤的光源和激发样品非线性吸收的光源具有完全同等的靶面光斑分布，方便进一步分析激光损伤与样品非线性吸收的关系。
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公开(公告)号：CN110320725A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910534925.7
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于全光信号处理技术领域，特别涉及一种基于氧化铟锡薄膜与硅纳米颗粒阵列复合结构的全光开关及其制备方法。本发明通过飞秒激光前向诱导技术在氧化铟锡薄膜上沉积硅纳米颗粒阵列，形成包括下层——二氧化硅基底、中层——氧化铟锡薄膜以及上层——硅纳米颗粒阵列的全光开关。通过复合结构的设计采用，以增强局部电场使非线性响应更强。并且，通过对硅纳米颗粒阵列的结构参数的改变，可以调谐共振波长的位置。此外，本发明的全光开关由于利用硅纳米颗粒阵列代替了传统的贵金属纳米颗粒阵列，避免了贵金属的欧姆损耗，且与CMOS技术兼容，因此器件成本低，响应速度快，低功耗等优点，在光纤通信、光学滤波等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109407365A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811523904.7
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02F1/13
Abstract: 一种激光作用下液晶光栅器件衍射效率的测量装置及方法，包括泵浦激光源、连续探测激光源、分束镜、光束质量分析仪、吸收池及计算机。泵浦激光源辐照液晶光栅器件时，连续探测激光源也同时辐照在器件上，由光束质量分析仪分别记录透过液晶光栅器件前后的连续探测激光功率密度的空间分布，并对得到的功率密度在空间分布上进行积分。定义激光功率密度在空间分布上的积分值为激光总功率，透过液晶光栅器件前后的探测激光束总功率之比为衍射效率。本发明可准确测量激光作用下液晶光栅器件的衍射效率变化，为液晶光栅器件在连续激光系统下的应用提供依据。该方法最重要的是要对由光束质量分析仪获得的激光功率密度分布图进行像素强度提取，利用像素强度表征激光功率密度的大小，激光总功率由对激光功率密度在空间分布上的积分获得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116937312A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310939899.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01S3/1118 , H01S3/067
Abstract: 一种基于结构介电常数近零薄膜的可饱和吸收体、制备方法及脉冲激光器方面的应用，属于激光技术及非线性光学技术领域。所述可饱和吸收体器件包括衬底、微结构阵列层和沉积在所述微结构陈列层上的结构ENZ薄膜。将结构ENZ可饱和吸收体放置在连续或长脉冲运转的激光谐振腔内，可以实现短脉冲激光输出。本发明提供的结构ENZ可饱和吸收体，具有在0°激光辐照下依然可以产生强的饱和吸收特性，可有效利用ENZ材料的ENZ效应引起的强的非线性光学性能；具有较高的损伤阈值，能够用于高功率激光器的研制；成本低，可大面积制备，便于集成，有利于产业化生产。本发明还提供了一种基于结构ENZ薄膜的可饱和吸收体的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN109540839B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201811484743.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N21/39
Abstract: 一种ITO透明导电膜功能性激光损伤阈值的测量装置及测量方法，包括泵浦连续激光器、探测连续激光器、分束镜、功率计、万用表及计算机，通过在线实时测量ITO透明导电膜的透过率和电阻率的变化来判定ITO透明导电膜在连续激光辐照下的功能性激光损伤阈值。本发明可有效评价ITO透明导电膜的功能性激光损伤阈值，为ITO透明导电膜在连续激光辐照下的应用提供依据。该方法最重要的是在测量之前先对ITO透明导电膜进行带状结构的刻蚀处理，以便于激光辐照处ITO透明导电膜电阻率的准确测量。
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公开(公告)号：CN112968341A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110138461.5
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H01S3/00
Abstract: 一种用于宽带超短激光及其相关应用领域的能量衰减装置，该装置由半波片、单面镀膜的第一楔板偏振片、单面镀膜的第二楔板偏振片及吸收池组成，通过所述半波片对宽带超短激光的偏振方向进行调制，通过所述第一楔板偏振片对宽带超短激光S分量反射光进行检偏，通过旋转所述半波片的角度实现对宽带超短激光脉冲能量的连续衰减调整，并利用所述第二楔板偏振片实现所述第二楔板偏振片的反射光方向与所述第一楔板偏振片入射宽带超短激光平行。上述装置可以降低宽带超短激光传输过程中的能量损耗以及激光系统中光学元件发生损伤的几率，避免宽带超短激光传输过程中产生的色散效应及脉宽展宽，便于对后续光路的准直和调节。
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公开(公告)号：CN109540839A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811484743.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N21/39
Abstract: 一种ITO透明导电膜功能性激光损伤阈值的测量装置及测量方法，包括泵浦连续激光器、探测连续激光器、分束镜、功率计、万用表及计算机，通过在线实时测量ITO透明导电膜的透过率和电阻率的变化来判定ITO透明导电膜在连续激光辐照下的功能性激光损伤阈值。本发明可有效评价ITO透明导电膜的功能性激光损伤阈值，为ITO透明导电膜在连续激光辐照下的应用提供依据。该方法最重要的是在测量之前先对ITO透明导电膜进行带状结构的刻蚀处理，以便于激光辐照处ITO透明导电膜电阻率的准确测量。
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公开(公告)号：CN112903622A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110096556.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N21/3563 , G01N21/59
Abstract: 一种多光子聚合物的局部聚合度测量装置，包括单脉冲长焦距多光子曝光装置和显微光谱测量装置；所述的单脉冲长焦距多光子曝光装置包括：超快激光器、第一可调衰减片、偏振片、第二可调衰减片、快门、聚焦透镜、激光分光镜、供光刻胶样品放置的电控位移台、光电探测器、光束质量分析仪和计算机。本发明可以避免高重频脉冲诱导聚合中可能存在的热效应和非线性副效应的影响，单纯地分析聚合度与激光参量的关系，有助于理解多光子聚合物的特性与激光参量的关系，并加以调控。
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