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公开(公告)号：CN116884727A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310758378.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于产生二维四极磁场的平面线圈系统，涉及磁场领域，包括：一对平面线圈，上下平面线圈之间有导线连接；用于固定平面线圈和传导热量的两片氮化铝陶瓷片和高温导热胶；用于固定线圈系统和散热的基座；该线圈系统用单电源供电即可产生二维磁光阱所需的二维四极磁场；其上下两层的设计可以使得有效的二维四极磁场范围满足需求，并降低了耗散功率；该平面线圈与镜面磁光阱系统的吸收池部分无物理接触，避免了接触传热导致的真空度变差，为冷原子实验创造有利条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1693915A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026554.X
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种半导体激光器的热弛豫时间的测量装置及其测试方法，该装置的构成是：一脉冲电源，该脉冲电源的输出端接半导体激光器，沿该半导体激光器的激光前进方向依次是准直系统和光谱仪，光电倍增管位于所述的光谱仪的输出狭缝，光电倍增管的输出端接Boxcar积分器的输入端，所述的脉冲电源的同步输出端经过延时电路连接Boxcar积分器的触发输入端，计算机输入端数据采集卡连接Boxcar积分器输出端。本发明的优点是：不需测试激光器阈值电流和斜率效率随结温的变化关系；装置造价低，容易搭建，方法简单、稳定性好。
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公开(公告)号：CN114640396B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210270063.3
申请日：2022-03-18
Applicant: 大连理工大学 , 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 一种高精度、宽频带的片上集成激光扫频装置，包括片上集成光学单元和驱动控制电学单元。片上集成光学单元包含主激光器、电光调制器、可调光耦合器和从激光器。主激光器采用窄线宽半导体激光器，从激光器使用无隔离器的可调谐半导体激光器。驱动控制电学单元包括信号发生器、频率合成器、环路滤波器、宽带压控振荡器、射频功率分配器、射频放大器、偏压控制器、可变增益放大器、驱动电流控制器和温度控制器。本发明通过驱动控制电学单元对片上集成光学单元控制，进行高阶边带注入锁定，获得窄线宽、宽频带、快速调谐功能。可调光耦合器兼具幅度调控和光波耦合的双重功能，有利于实现体积小、集成度高、系统稳定性好的片上集成激光扫频装置。
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公开(公告)号：CN100383541C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510026554.X
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种半导体激光器的热弛豫时间的测量装置及其测试方法，该装置的构成是：一脉冲电源，该脉冲电源的输出端接半导体激光器，沿该半导体激光器的激光前进方向依次是准直系统和光谱仪，光电倍增管位于所述的光谱仪的输出狭缝，光电倍增管的输出端接Boxcar积分器的输入端，所述的脉冲电源的同步输出端经过延时电路连接Boxcar积分器的触发输入端，计算机输入端数据采集卡连接Boxcar积分器输出端。本发明的优点是：不需测试激光器阈值电流和斜率效率随结温的变化关系；装置造价低，容易搭建，方法简单、稳定性好。
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公开(公告)号：CN114640396A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210270063.3
申请日：2022-03-18
Applicant: 大连理工大学 , 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 一种高精度、宽频带的片上集成激光扫频装置，包括片上集成光学单元和驱动控制电学单元。片上集成光学单元包含主激光器、电光调制器、可调光耦合器和从激光器。主激光器采用窄线宽半导体激光器，从激光器使用无隔离器的可调谐半导体激光器。驱动控制电学单元包括信号发生器、频率合成器、环路滤波器、宽带压控振荡器、射频功率分配器、射频放大器、偏压控制器、可变增益放大器、驱动电流控制器和温度控制器。本发明通过驱动控制电学单元对片上集成光学单元控制，进行高阶边带注入锁定，获得窄线宽、宽频带、快速调谐功能。可调光耦合器兼具幅度调控和光波耦合的双重功能，有利于实现体积小、集成度高、系统稳定性好的片上集成激光扫频装置。
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公开(公告)号：CN2828834Y
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200520042281.3
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种半导体激光器热弛豫时间的测试装置，该装置的构成是：一脉冲电源，该脉冲电源的输出端接半导体激光器，沿该半导体激光器的激光前进方向依次是准直系统和光谱仪，光电倍增管位于所述的光谱仪的输出狭缝，光电倍增管的输出端接Boxcar积分器的输入端，所述的脉冲电源的同步输出端经过延时电路连接Boxcar积分器的触发输入端，计算机输入端数据采集卡连接Boxcar积分器输出端。本实用新型的优点是：不需测试激光器阈值电流和斜率效率随结温的变化关系；装置造价低，容易搭建，方法简单、稳定性好。
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