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公开(公告)号：CN119788224A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411929306.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: H04B17/391
Abstract: 本发明公开了一种基于射线追踪算法和ITS模型的宽带短波信道仿真计算方法，包括如下步骤：步骤1，设定发射点位置、接收点位置的地理经纬度信息；步骤2，利用电离层背景模型计算电离层电子密度及其在各方向的变化梯度；步骤3，利用三维射线追踪算法计算短波信号在收发点位置之间传播的传播参数，包括最小时延、最大时延、平均时延和多普勒频移；步骤4，以三维射线追踪算法计算得到的传播参数或者试验数据得到的传播参数为输入，根据ITS模型获得短波信道的冲击响应函数。本发明所公开的方法，实现了宽带短波信道仿真计算，得到的短波信道模型考虑了电离层引起的短波信号时延、多普勒扩展效应，可以仿真计算全球任意区域短波链路信道。
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公开(公告)号：CN119788223A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411929251.8
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: H04B17/391
Abstract: 本发明公开了一种基于ITS的改进宽带短波信道仿真计算方法，包括如下步骤：步骤1，随机调制函数仿真：步骤2，确定相位函数仿真：步骤3，改进的时延功率分布函数仿真：步骤4，将时变脉冲响应定义为时间和时延变量的函数。本发明所公开的方法，改进了ITS信道模型中的时延功率分布函数，使其计算过程更加简便，从而更加快捷方便的实现对宽带短波信道的仿真计算，得到的短波信道模型考虑了电离层引起的短波信号时延和多普勒扩展效应，可以仿真计算全球任意区域的短波链路信道。
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公开(公告)号：CN119557535A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411522978.4
申请日：2024-10-29
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种基于宽角抛物方程的电离层行进式扰动短波传播效应数值计算方法，包括如下步骤：步骤1，背景电离层产生：步骤2，TID模型建立：步骤3，TID折射指数计算：步骤4，抛物方程宽角近似：步骤5，分步傅立叶数值求解：步骤6，路径传播损耗计算。本发明所公开的计算方法，考虑了电离层TID时短波前向传播时折射、绕射及干涉效应，不仅可以计算短波覆盖范围，亦可计算短波场强分布及路径传播损耗，优于传统短波射线追踪算法。
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公开(公告)号：CN117951872A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311776843.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F17/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于时间累积指数的电离层foF2建模方法，包括如下步骤：步骤1，原始数据获取：步骤2，时间累积窗口选择：步骤3，太阳时间累积指数计算：步骤4，电离层foF2与太阳时间累积指数二阶回归：步骤5，周日变化傅里叶级数展开。本发明所公开的建模方法，充分考虑太阳辐射时间累积效应对电离层的持续影响，并且将电离层参数每日小时值作为模型建立数据源，能够有效提升电离层foF2模型计算精度。
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公开(公告)号：CN109490641A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811462155.1
申请日：2019-01-05
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R29/0814
Abstract: 本发明公开了一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，包括如下步骤：步骤A：根据收发点位置信息计算短波链路的大圆距离和反射点位置及其电子回旋频率，根据等效定理计算电波辐射仰角；步骤B：依托国防科技工业电波环境观测站，获取反射点处电离层垂直探测图和电离层斜向探测图；步骤C：若反射点处无直接观测的电离层foE、foEs，首先将斜向探测的MUFEs值转换为斜测链路中间点处的foEs值；步骤D：根据短波通信特点来确定强Es发生条件，计算反射点处的电离层吸收损耗，进而计算出偶发E层的场强。本发明所公开中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，能够综合利用电离层垂测和斜测数据，计算得到反射点处的foEs值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119784006A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411666353.5
申请日：2024-11-20
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G06Q10/0631 , G06Q10/20 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种中国地区单站foEs发生概率的预测方法，包括如下步骤：步骤1，获取站点位置磁倾角，判断站点处于中纬度还是低纬度；步骤2，获取中国地区各电离层观测站11年的foEs观测数据，分析foEs统计规律：步骤3，计算出春秋季、夏季和冬季0时至23时foEs的发生概率：步骤4，对foEs值和foEs发生概率进行多项式拟合，计算不同季节的最佳拟合曲线，利用预测模型计算出任意foEs值的发生概率。本发明所公开的方法，能够利用中国地区电离层垂测数据，按照季节对foEs数据进行归类，建立单站foEs发生概率预测模型，进一步计算出任意foEs值的发生概率，为无线电系统的设计和运行维护提供了良好的技术支撑。
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公开(公告)号：CN119757886A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411666344.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于短波授时信号的电离层突然骚扰识别方法，包括如下步骤：步骤1，收集中国地区各电离层观测站的高频多普勒和信号电平观测数据，对数据进行预处理；步骤2，分析耀斑期间多普勒频移和接收信号衰落变化规律，研究太阳耀斑引起电离层突然骚扰效应的变化规律；步骤3，依据多普勒频移和接收信号衰落变化规律，获得单站电离层突然骚扰事件识别方法；步骤4，对多站数据进行综合分析，建立中国地区电离层突然骚扰事件预测模型，利用预测模型识别电离层突然骚扰是否发生。本发明所公开的方法，能够利用中国地区的高频多普勒和信号电平观测数据，分析耀斑期间多普勒频移和接收信号衰落变化规律，研究基于短波接收场强和多普勒频移的电离层突然骚扰特征提取技术，获得单站电离层突然骚扰事件识别方法。
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公开(公告)号：CN117950084A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311773499.5
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
Abstract: 本发明公开了一种驱动电离层foF2逐日变化的太阳时间累积指数计算方法，包括如下步骤：步骤1，获取太阳10.7 cm射电通量F107历史数据；步骤2，获取电离层F2层临界频率foF2历史数据；步骤3，确定时间窗口：步骤4，确定时间滞后因子：步骤5，计算太阳时间累积指数F107(τ)。本发明方法计算所得的太阳时间累积指数F107(τ)，充分考虑了太阳辐射对中性大气作用的时间累积效应，与电离层foF2相关性好，可应用于电离层建模、预报，作为表征太阳活动水平的指数。
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公开(公告)号：CN109490641B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811462155.1
申请日：2019-01-05
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，包括如下步骤：步骤A：根据收发点位置信息计算短波链路的大圆距离和反射点位置及其电子回旋频率，根据等效定理计算电波辐射仰角；步骤B：依托国防科技工业电波环境观测站，获取反射点处电离层垂直探测图和电离层斜向探测图；步骤C：若反射点处无直接观测的电离层foE、foEs，首先将斜向探测的MUFEs值转换为斜测链路中间点处的foEs值；步骤D：根据短波通信特点来确定强Es发生条件，计算反射点处的电离层吸收损耗，进而计算出偶发E层的场强。本发明所公开中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，能够综合利用电离层垂测和斜测数据，计算得到反射点处的foEs值。
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公开(公告)号：CN118590117A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410508234.0
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
IPC: H04B7/185 , H04B17/309 , H04B17/391 , G06F17/10 , G06F17/14 , G01S13/88 , G01S13/90 , G01S7/02 , G01N27/00 , G01N9/00 , G01N9/36
Abstract: 本发明公开了一种基于电子密度起伏谱的电离层等离子体泡密度分布生成方法，包括如下步骤：步骤1，坐标系设置：步骤2，背景电子密度分布获取：步骤3，大尺度等离子体泡位形设置：步骤4，大尺度等离子体泡电子密度分布计算：步骤5，小尺度电子密度起伏谱选取；步骤6，小尺度电子密度起伏求解：步骤7，等离子体泡电子密度分布计算。本发明所公开的方法，充分考虑了等离子体泡的空间分布特征，把小尺度电子密度随机起伏限制在大尺度等离子体泡的耗空结构内，更加符合物理实际。
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