公开(公告)号：CN114579917A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111469727.0

申请日：2021-12-03

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 班盼盼 ,  孙树计 ,  王飞飞 ,  王保健

IPC: G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种基于电离层垂直探测数据的突然电离层骚扰事件识别方法，包括如下步骤：步骤1，收集整理发生在我国白天时段的M5.0级历史太阳耀斑爆发期间各电离层观测站fmin、foF2数据；步骤2，计算各电离层观测站对应时刻fmin与foF2数据的比值，统计分析fmin/foF2的分布情况，确定各电离层观测站位置电离层吸收程度的不同强度级别；步骤3，确定突然电离层骚扰事件的强度级别。本发明所公开的突然电离层骚扰事件识别方法，利用电离层垂直探测电离图最低回波频率和电离层临界频率，计算出表示电离层吸收程度的吸收指数，可简单直接表征某个区域电离层吸收程度，可为短波等电子信息系统提供我国不同地区的电离层吸收程度信息。

公开(公告)号：CN109490641A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811462155.1

申请日：2019-01-05

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 陈春 ,  班盼盼 ,  王保健 ,  盛冬生 ,  王飞飞

IPC: G01R29/08

CPC classification number: G01R29/0814

Abstract: 本发明公开了一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，包括如下步骤：步骤A：根据收发点位置信息计算短波链路的大圆距离和反射点位置及其电子回旋频率，根据等效定理计算电波辐射仰角；步骤B：依托国防科技工业电波环境观测站，获取反射点处电离层垂直探测图和电离层斜向探测图；步骤C：若反射点处无直接观测的电离层foE、foEs，首先将斜向探测的MUFEs值转换为斜测链路中间点处的foEs值；步骤D：根据短波通信特点来确定强Es发生条件，计算反射点处的电离层吸收损耗，进而计算出偶发E层的场强。本发明所公开中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，能够综合利用电离层垂测和斜测数据，计算得到反射点处的foEs值。

公开(公告)号：CN111323807B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201911321227.5

申请日：2019-12-20

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 陈春 ,  班盼盼 ,  王保健 ,  盛冬生 ,  唐森 ,  刘书志 ,  杨戈

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明公开了一种夏季区域Es变化趋势的预测方法，包括如下步骤：步骤1，根据收发点位置信息计算HF链路的大圆距离和反射点位置，步骤2，利用几个站点foEs进行kriging重构，绘出foEs的区域分布情况，步骤3，依托国防科技工业电波环境观测站网，分析5分钟和15分钟间隔foEs变化特性，研究foEs随时间变化的统计特性，分析反射点foEs层是否存在，分析foEs变化趋势，进而预测反射点下一时刻foEs的变化趋势，本发明所公开方法能够综合利用小区域多站电离层垂测数据，计算得到反射点处的foEs值，判断Es层是否存在，进一步结合foEs区域分布图，预测下一时刻foEs值的变化趋势，为无线电系统的设计和运行维护提供了良好的技术支撑。

公开(公告)号：CN111323807A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911321227.5

申请日：2019-12-20

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 陈春 ,  班盼盼 ,  王保健 ,  盛冬生 ,  唐森 ,  刘书志 ,  杨戈

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明公开了一种夏季区域Es变化趋势的预测方法，包括如下步骤：步骤1，根据收发点位置信息计算HF链路的大圆距离和反射点位置，步骤2，利用几个站点foEs进行kriging重构，绘出foEs的区域分布情况，步骤3，依托国防科技工业电波环境观测站网，分析5分钟和15分钟间隔foEs变化特性，研究foEs随时间变化的统计特性，分析反射点foEs层是否存在，分析foEs变化趋势，进而预测反射点下一时刻foEs的变化趋势，本发明所公开方法能够综合利用小区域多站电离层垂测数据，计算得到反射点处的foEs值，判断Es层是否存在，进一步结合foEs区域分布图，预测下一时刻foEs值的变化趋势，为无线电系统的设计和运行维护提供了良好的技术支撑。

公开(公告)号：CN109490641B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201811462155.1

申请日：2019-01-05

Applicant: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)

Inventor： 陈春 ,  班盼盼 ,  王保健 ,  盛冬生 ,  王飞飞

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明公开了一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，包括如下步骤：步骤A：根据收发点位置信息计算短波链路的大圆距离和反射点位置及其电子回旋频率，根据等效定理计算电波辐射仰角；步骤B：依托国防科技工业电波环境观测站，获取反射点处电离层垂直探测图和电离层斜向探测图；步骤C：若反射点处无直接观测的电离层foE、foEs，首先将斜向探测的MUFEs值转换为斜测链路中间点处的foEs值；步骤D：根据短波通信特点来确定强Es发生条件，计算反射点处的电离层吸收损耗，进而计算出偶发E层的场强。本发明所公开中纬地区偶发E层短波场强的计算方法，能够综合利用电离层垂测和斜测数据，计算得到反射点处的foEs值。