一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN114337631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210043656.6

    申请日:2022-01-14

    摘要: 本发明公开了一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法,具有一总输入端和总输出端,所述硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管,可在总输出端产生一大电压脉冲信号,用于提高硅基单光子探测器的探测效率,并且,NMOS管和PMOS管轮流交替工作,使整个淬灭与恢复电路具有较低的静态功耗,从而延长使用寿命,并且获得的较快的开关速度以及较短的开启和关断时间有利于降低暗计数以及探测死区时间以及提高硅基单光子探测器的计数率,可适用于门控模式和主动模式的硅基单光子探测器的淬灭与恢复,通用性较强。

    一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN114337631B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202210043656.6

    申请日:2022-01-14

    摘要: 本发明公开了一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法,具有一总输入端和总输出端,所述硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管,可在总输出端产生一大电压脉冲信号,用于提高硅基单光子探测器的探测效率,并且,NMOS管和PMOS管轮流交替工作,使整个淬灭与恢复电路具有较低的静态功耗,从而延长使用寿命,并且获得的较快的开关速度以及较短的开启和关断时间有利于降低暗计数以及探测死区时间以及提高硅基单光子探测器的计数率,可适用于门控模式和主动模式的硅基单光子探测器的淬灭与恢复,通用性较强。