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公开(公告)号：CN112018067A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010734475.9
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号正面焊盘；下金属板设于陶瓷介质的背面，下金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号背面焊盘；多个接地焊球连接于下金属板远离陶瓷介质背面的一侧，且排接地垂直过渡孔设有接地焊球；射频信号功能焊球与射频信号背面焊盘连接。本发明提供的基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构，构成类同轴结构，能够提高宽带高频传输的性能，满足宽带T/R组件的需求。
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公开(公告)号：CN112018067B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010734475.9
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号正面焊盘；下金属板设于陶瓷介质的背面，下金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号背面焊盘；多个接地焊球连接于下金属板远离陶瓷介质背面的一侧，且排接地垂直过渡孔设有接地焊球；射频信号功能焊球与射频信号背面焊盘连接。本发明提供的基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构，构成类同轴结构，能够提高宽带高频传输的性能，满足宽带T/R组件的需求。
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公开(公告)号：CN111312703A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010090969.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维立体混合集成电路封装结构及装配方法，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本发明提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。
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公开(公告)号：CN211404501U
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202020168007.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种三维立体混合集成电路封装结构，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本实用新型提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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