公开(公告)号：CN101294276B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810055243.X

申请日：2008-06-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李亮 ,  霍玉柱 ,  周瑞 ,  李丽亚 ,  严锐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si3N4层或SiO2层；(2)对上步骤中淀积的Si3N4层或SiO2层进行氧化；(3)采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO2层或Si3N4层；(4)对上步骤中淀积的SiO2层或Si3N4层氧化致密。本方法分别对淀积的Si3N4层和SiO2层进行氧化，提高二者之间的的选择比，得到高选择比的Si3N4和SiO2混合叠层屏蔽膜。本方法所得到的屏蔽膜在后续的腐蚀工艺中，能更好的控制图形尺寸，加工更加精细。

公开(公告)号：CN101294276A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810055243.X

申请日：2008-06-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李亮 ,  霍玉柱 ,  周瑞 ,  李丽亚 ,  严锐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si3N4层或SiO2层；(2)对上步骤中淀积的Si3N4层或SiO2层进行氧化；(3)采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO2层或Si3N4层；(4)对上步骤中淀积的SiO2层或Si3N4层氧化致密。本方法分别对淀积的Si3N4层和SiO2层进行氧化，提高二者之间的的选择比，得到高选择比的Si3N4和SiO2混合叠层屏蔽膜。本方法所得到的屏蔽膜在后续的腐蚀工艺中，能更好的控制图形尺寸，加工更加精细。