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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN118249794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410320830.6
申请日：2024-03-20
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于复合梁的单刀四掷MEMS开关，属于射频前端器件技术领域。主要结构为输入微带线，渐变匹配结构，中间导通结构，输出微带线，玻璃基衬底，金属电极，梁底座与悬梁共同组成的复合梁，金属地组成。此开关属于欧姆接触式开关，复合梁结构包括二氧化硅材料悬梁和金材料梁底座。各支路开关通过直流电压驱动金属电极，可以控制复合梁的悬停状态与接触渐变匹配结构与输出传输线的贴合状态，分别对应着本路开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段140GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简洁、制造方便，能够通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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公开(公告)号：CN117996460A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410271618.5
申请日：2024-03-11
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了基于可变电容调谐机制的频率和极化可重构天线阵列，属于射频前端器件领域。其由相同的天线单元组成，天线单元由主辐射贴片、两个弯折短截线、两个可变电容、一个大电阻、一个电感、介质基板、一个SMA连接器、金属地组成。通过施加不同反向电压到可变电容上，从而调谐天线单元的谐振频率和谐振相位，在横向两个单元之间形成90度左右的相位差从而实现圆极化，通过对调左右两侧施加的电压即可方便地切换左旋/右旋圆极化。当左右两侧施加的反向电压相等时，天线为线极化，产生的圆极化轴比。本发明使得天线整体结构更加简单，降低了加工复杂度和成本，其平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN117080739A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311034395.2
申请日：2023-08-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种Ka波段圆极化天线，属于卫星通信技术领域，其由金属背板、介质层、馈电结构、SIW结构、辐射贴片及寄生贴片构成。通过双端口相位差90°的信号输入和同轴馈电方式，实现Ka波段的圆极化，同时利用特殊缺陷结构来实现天线辐射轴比的高宽度。该天线可以实现26.38GHz‑27.82GHz的圆极化信号输出，低于‑3dB的的天线轴比宽度117°‑152°。
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公开(公告)号：CN116799508A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310924332.8
申请日：2023-07-26
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种双频带圆极化微带天线，属于无线技术领域，本发明天线由金属背板、介质层、馈电结构、金属缝隙层、SIW结构、辐射贴片及寄生贴片构成。通过双端口相位差90°的信号输入和缝隙耦合，实现Ka波段的圆极化，同时利用特征缺陷结构来实现工作波段的双频带圆极化。该天线可以实现27.6GHz‑27.98GHz与28.74GHz‑30.46GHz的圆极化信号输出。
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公开(公告)号：CN118508071A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410810087.2
申请日：2024-06-21
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种毫米波超宽带宽波束磁电偶极子天线单元及天线，属于射频前端器件领域；其天线单元包括辐射体和馈电模块；辐射体包含有两个位于同一平面且对称设置的矩形贴片；两个矩形贴片的远离侧均与对应的斜置贴片连接；馈电模块为T型结构，且其位于所述平面内；其中一矩形贴片的内侧设有圆形缝隙,T型结构的中间枝节末端位于圆形缝隙中，且与矩形贴片无接触；T型结构的中间枝节末端通过金属通孔I穿过地板，接入馈电层；所述矩形贴片通过金属通孔II与底板连接。本发明在Ka波段附近频段内达到超过54％阻抗带宽的性能，以及H面的波束宽度在频段内维持在112度到135度范围内，还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号：CN118117328A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410319791.8
申请日：2024-03-20
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种毫米波超宽带圆极化磁电偶极子天线，属于射频前端器件技术领域，其包括天线辐射体和馈电模块；所述天线辐射体包括上辐射层、下辐射层以及金属过孔；所述上辐射层和下辐射层均设置有两个矩形贴片，且在同一辐射层上的四个矩形贴片正投影分别位于方形的四个顶点；同一辐射层的两个辐射贴片位于方形的对角线上；其中一辐射层上的两个辐射贴片相邻端平面连接；金属过孔与矩形贴片一一对应；所述金属过孔的顶端与对应的矩形贴片短接，底端与金属地连接；本发明在30Ghz附近频段内达到超过40％阻抗带宽的性能，以及圆极化轴比带宽也高于20％，在保持上述性能优势下，还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号：CN118763422A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410964811.7
申请日：2024-07-18
申请人： 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元，属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元，复合梁MEMS开关，直流偏置线，金属短截线，圆形通孔，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差，且MEMS开关工作在300GHZ以下，均可以保证在断开状态隔离度高于15dB；导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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