Invention Publication
- Patent Title: 一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元
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Application No.: CN202410964811.7Application Date: 2024-07-18
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Publication No.: CN118763422APublication Date: 2024-10-11
- Inventor: 关维国 , 何小龙 , 张乃柏 , 黄建明 , 崔岩松 , 王子莱 , 杨光耀 , 邓琨
- Applicant: 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
- Applicant Address: 辽宁省锦州市古塔区士英街169号; ;
- Assignee: 辽宁工业大学,中国电子科技集团公司第五十四研究所,北京邮电大学
- Current Assignee: 辽宁工业大学,中国电子科技集团公司第五十四研究所,北京邮电大学
- Current Assignee Address: 辽宁省锦州市古塔区士英街169号; ;
- Agency: 河北东尚律师事务所
- Agent 王文庆
- Main IPC: H01Q15/00
- IPC: H01Q15/00 ; H01Q9/04

Abstract:
本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元,属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元,复合梁MEMS开关,直流偏置线,金属短截线,圆形通孔,金属电极,氮化硅绝缘层,硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态;利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差,且MEMS开关工作在300GHZ以下,均可以保证在断开状态隔离度高于15dB;导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便,可以通过硅基工艺进行制造。
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