-
公开(公告)号：CN117555080A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311529082.4
申请日：2023-11-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种硅基光子集成TE‑TM模式偏振旋转器及其制备方法，属于集成光子学领域。该偏振旋转器包括输入波导区、偏振旋转区、输出波导区；其中，偏振旋转区为条形波导顶部周期性排布的倾斜亚波长金属条带光栅结构。TE模式的光通过输入波导进入偏振旋转区，经过一段长度的偏振旋转区传输后，由于表面等离基元效应，TE模式的光强逐渐减弱，TM模式的光强逐渐增强，实现了TE模式到TM模式的有效转换，并且具有结构紧凑、工艺简单、易于加工实现的优点，对硅基光电子学的发展具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN111968917A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010898435.8
申请日：2020-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/02
摘要： 本发明公开一种引入block结构深N阱层的抗辐射GGNMOS器件的制备方法，属于集成电路静电放电保护技术领域，可以与薄外延工艺兼容，在基于P-/P+外延衬底材料上制备GGNMOS器件，用于电路的ESD保护结构，实现了抗单粒子闩锁与ESD保护能力的折中均衡。通过引入block结构的深N阱层，可以在一定程度上提升GGNMOS器件体区电阻值，解决了薄外延工艺中ESD触发电流过大的问题，提升ESD保护能力；同时又未将P外延层与P阱完全隔断，增加了电流泄放通道，提高了器件抗单粒子闩锁作用。本GGNMOS器件制备方法与现有薄外延工艺相兼容，实现了抗单粒子闩锁与ESD保护能力的折中均衡。
-
公开(公告)号：CN115346877A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211020083.1
申请日：2022-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L23/552
摘要： 本发明涉及一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，包括如下步骤：首先提供P型外延层，在P型外延层上依次形成二氧化硅层和氮化硅层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对STI隔离槽底部和侧壁注入氮和氧；然后进行高温退火，使用LPCVD再生长一层氮化硅；填充HDP介质并退火，并对HDP介质进行平坦化；最后进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μmFlash工艺制程。本发明提供的方法中STI侧壁形成的NON结构稳定，不受后续工艺制造热过程的影响；与通用的Flash工艺兼容型强。
-
公开(公告)号：CN115117205A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211030140.4
申请日：2022-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开一种硅基雪崩光电二极管的抗辐照加固方法，属于半导体光电探测器领域。N型收集环及加固注入区为用于抗辐照的结构，N型收集环用于收集器件外围区域的电流，防止对有效的倍增信号产生干扰；通过在器件外围区域的场氧下方引入一道P型加固注入区，防止该弱P型区域在辐照条件下反型成N型形成漏电流通道，即阻止该区域反型造成N型结截止扩展环、N型收集环与电通道截止环之间的漏电。另外，也保证了雪崩击穿总是发生在器件中心位置的P型雪崩区中。该方法降低了硅基雪崩光电二极管辐照后的暗电流，提高了硅基雪崩光电二极管的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN117608030A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311555586.3
申请日：2023-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G02B6/136
摘要： 本发明公开一种降低套偏精度要求的方法，属于半导体制造领域。提供SOI材料片，SOI材料片包括依次堆叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅；制造波导全刻蚀掩模版和非穿透性部分刻蚀掩模版；利用波导全刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行波导全刻蚀，定义出条形波导区、过渡区和脊形波导区的外边缘；利用非穿透性部分刻蚀掩模版，在SOI材料片上进行非穿透性部分刻蚀，形成过渡区和脊形波导平板区；非穿透性部分刻蚀后，去除光刻胶。通过该方法制备的结构包含条形波导、过渡区、脊形波导，实现了条形波导与脊形波导的有效连接和耦合；可以有效避免刻蚀的角落出现负载效应，避免刻蚀不充分导致光传输损耗变大。
-
公开(公告)号：CN115117205B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211030140.4
申请日：2022-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开一种硅基雪崩光电二极管的抗辐照加固方法，属于半导体光电探测器领域。N型收集环及加固注入区为用于抗辐照的结构，N型收集环用于收集器件外围区域的电流，防止对有效的倍增信号产生干扰；通过在器件外围区域的场氧下方引入一道P型加固注入区，防止该弱P型区域在辐照条件下反型成N型形成漏电流通道，即阻止该区域反型造成N型结截止扩展环、N型收集环与电通道截止环之间的漏电。另外，也保证了雪崩击穿总是发生在器件中心位置的P型雪崩区中。该方法降低了硅基雪崩光电二极管辐照后的暗电流，提高了硅基雪崩光电二极管的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN114520277A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210147022.5
申请日：2022-02-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L23/552 , H01L31/0352 , H01L31/107
摘要： 本发明公开一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构，属于雪崩光电二极管领域。在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件，且不需要N保护环与P外围环等相应掩模版及光刻过程，简化了制备工艺，降低了生产成本。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.045 秒)
