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公开(公告)号：CN111211782B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010068045.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆吉芯科技有限公司
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种具有漏电流补偿功能的高速逐次逼近型模数转换器，包括主ADC模块、辅助ADC模块和两个采样开关漏电流补偿模块；辅助ADC模块产生与主ADC模块的漏电流呈线性关系的辅助漏电流并送给两个采样开关漏电流补偿模块，使两个采样开关漏电流补偿模块产生与主ADC模块的漏电流相同的补偿电流送给主ADC模块。本发明中，由于辅助ADC模块的器件为主ADC模块的器件按比例缩小，因此，辅助ADC模块的面积可以做得很小；由于辅助ADC模块和采样开关漏电流补偿模块产生的补偿电流和主ADC模块产生的漏电流随温度、电源电压和工艺呈线性同步变化，因此不需要额外的补偿技术，结构简单，补偿精度高。
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公开(公告)号：CN111884656A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010788486.5
申请日：2020-08-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆吉芯科技有限公司
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明提供了一种比较器及模数转换器，该比较器包括输入单元、负载单元、控制开关和调整单元，其中，输入单元的输入端接第一输入信号和第二输入信号，负载单元接输入单元，通过调整负载单元的增益调整对管的栅压来调整比较器的增益，调整单元接输入单元，根据控制开关的使能状态调整增益调整对管的栅压；本发明还提供了一种模数转换器，该比较器在失调消除状态下，增益较小，使得比较器的失调电压放大倍数小，在信号放大状态下，增益较大，使得比较器的输入差模信号放大倍数大，消除了比较器失调电压对比较器比较结果的影响，提升比较器速度，减小版图面积，明显消除了比较器的失调电压。
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公开(公告)号：CN111884656B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010788486.5
申请日：2020-08-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆吉芯科技有限公司
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明提供了一种比较器及模数转换器，该比较器包括输入单元、负载单元、控制开关和调整单元，其中，输入单元的输入端接第一输入信号和第二输入信号，负载单元接输入单元，通过调整负载单元的增益调整对管的栅压来调整比较器的增益，调整单元接输入单元，根据控制开关的使能状态调整增益调整对管的栅压；本发明还提供了一种模数转换器，该比较器在失调消除状态下，增益较小，使得比较器的失调电压放大倍数小，在信号放大状态下，增益较大，使得比较器的输入差模信号放大倍数大，消除了比较器失调电压对比较器比较结果的影响，提升比较器速度，减小版图面积，明显消除了比较器的失调电压。
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公开(公告)号：CN111211782A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010068045.8
申请日：2020-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆吉芯科技有限公司
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种具有漏电流补偿功能的高速逐次逼近型模数转换器，包括主ADC模块、辅助ADC模块和两个采样开关漏电流补偿模块；辅助ADC模块产生与主ADC模块的漏电流呈线性关系的辅助漏电流并送给两个采样开关漏电流补偿模块，使两个采样开关漏电流补偿模块产生与主ADC模块的漏电流相同的补偿电流送给主ADC模块。本发明中，由于辅助ADC模块的器件为主ADC模块的器件按比例缩小，因此，辅助ADC模块的面积可以做得很小；由于辅助ADC模块和采样开关漏电流补偿模块产生的补偿电流和主ADC模块产生的漏电流随温度、电源电压和工艺呈线性同步变化，因此不需要额外的补偿技术，结构简单，补偿精度高。
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公开(公告)号：CN112349786B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011233504.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110034763B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201910294772.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，涉及一种基于负载调整结构的低噪声比较器。包括预放大级以及锁存器；在预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构；所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K，以及电容C；开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连，开关K的另一端和电容C的一端相连，电容C的另一端接地，输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。当比较器处于噪声敏感区域时，开关K导通，使得电容C接入预放大级输出端，从而降低预放大级带宽并抑制了噪声。当比较器处于噪声不敏感区域或者复位阶段时，开关K关断，使得电容C和预放大级的输出端断开，从而提高了比较器的速度。
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公开(公告)号：CN109861672A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910117896.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明提供一种动态比较器，包括：时钟信号模块，用于产生第一时钟信号、第二时钟信号与第三时钟信号；正反馈通道，分别连接预放大器与正反馈锁存器，当第三时钟信号为低电平时，提升连接在预放大器与正反馈锁存器之间的两个节点电压Tp和Tn之间的电压差；当第一、二时钟信号为低电平时，节点电压Tp和Tn被上拉到电源电压进入到复位状态而输出高电平，经反相处理得到为低电平Ip和In反馈控制预放大器；当第一时钟信号为高电平时，第二时钟信号仍为低电平，预放大器处于工作状态放大输入信号输出有电压差的节点电压Tp和Tn，当第二时钟信号变为高电平时，节点电压Tp和Tn之间的电压差使得正反馈锁存器进入锁存状态，完成比较工作输出电压信号Dp和Dn。
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公开(公告)号：CN107463201A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710652628.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种电压转电流电路，包括：第一放大器，用于接收差分电压信号的正相电压信号；第二放大器，其与所述第一放大器相连构成第一反馈环路，将所述正相电压信号转换为第一电流信号；第三放大器，用于接收差分电压信号的负相电压信号；第四放大器，其与所述第三放大器相连构成第二反馈环路，将所述负相电压信号转换为第二电流信号；第一电流镜，用于按比例复制所述第一电流信号，输出正相电流；第二电流镜，用于按比例复制所述第二电流信号，输出负相电流；其中，所述正相电流与负相电流合成差分电流。采用共源共栅放大器与共源放大器构成反馈回路，两个反馈回路使用相同电流源，使得输出的电流稳定于一恒定值，提高了线性度与精度。
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公开(公告)号：CN101252358B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200810069533.X
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及一种高速16位A/D转换器模块电路，它包括模拟输入单元、时钟控制单元、由四个14位A/D转换器组成的A/D转换单元、数字校准单元。本发明采用了多片并行采样的技术原理，四个单片高速14位A/D转换器对同一模拟信号进行采集，时钟控制单元电路控制和驱动整个系统时钟，数字校准单元对四个单片高速14位A/D转换器的转换结果进行数字误差与校正处理，以高速低位的A/D转换器实现了同时满足速度和精度的高速高位A/D转换器。它适用于雷达、通讯等数据采集系统领域。
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公开(公告)号：CN114792717A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110101143.1
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，其工艺相对其他现有高压低漂移区导通电阻半导体元胞结构更容易实现，降低了同样的电压因电荷失配导致的损失，包括介质层电荷引起的失配，这对降低工艺实施难度和工艺能力的要求，提高成品率有很大冗余度和好处，同时也提高了该结构工作的稳定性。
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