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公开(公告)号:CN102931972B
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201210455598.4
申请日:2012-11-14
申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号: H03K19/0185
CPC分类号: H03K19/0005 , H03K19/0013 , H03K19/00361 , H03K19/01714 , H03K19/018521 , H03K19/09432
摘要: 本发明涉及一种高线性CMOS输入缓冲器电路,它包括CMOS输入跟随电路、跟随管线性度提高电路、电流源负载和负载阻抗线性度提高电路。本发明通过跟随管线性度提高电路,用于检查输入信号的变化趋势,将其作用于跟随管,抵消输入信号变化带来的跟随管自身跨导值和输出阻抗的非线性变化,提高CMOS输入缓冲器的线性度。本发明采用的器件完全可以标准CMOS工艺提供,实现简单成本低,且在高频时具有同样良好的线性度,适用于需要高线性输入缓冲器的CMOS模拟IC和数模混合IC领域。
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公开(公告)号:CN102931972A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210455598.4
申请日:2012-11-14
申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号: H03K19/0185
CPC分类号: H03K19/0005 , H03K19/0013 , H03K19/00361 , H03K19/01714 , H03K19/018521 , H03K19/09432
摘要: 本发明涉及一种高线性CMOS输入缓冲器电路,它包括CMOS输入跟随电路、跟随管线性度提高电路、电流源负载和负载阻抗线性度提高电路。本发明通过跟随管线性度提高电路,用于检查输入信号的变化趋势,将其作用于跟随管,抵消输入信号变化带来的跟随管自身跨导值和输出阻抗的非线性变化,提高CMOS输入缓冲器的线性度。本发明采用的器件完全可以标准CMOS工艺提供,实现简单成本低,且在高频时具有同样良好的线性度,适用于需要高线性输入缓冲器的CMOS模拟IC和数模混合IC领域。
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