-
公开(公告)号：CN105514060B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510831701.4
申请日：2015-11-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473
摘要： 本发明涉及LTCC陶瓷基板技术，本发明公开了一种在LTCC陶瓷基板中集成内埋散热微通道的方法，其具体包括以下的步骤：步骤一、根据散热微通道的结构需要,将LTCC生瓷片划分为N组，每张LTCC生瓷片完成互联通孔和电路图形的制作；步骤二、按照分组情况，分别进行叠层和预压，获得N个子模块；步骤三、在子模块上加工定位孔和微通道所需结构，然后将各子模块采用胶粘剂进行贴合，并在低压力下进行层压，使之成为一个完整生瓷块，所述低压力为2‑50psi。最后将生瓷块进行烧结、切割，即可获得集成内埋微通道的电路、散热一体化的LTCC陶瓷基板。本发明不需要使用任何牺牲填充剂，先预压，再胶粘，然后低压层合,使得微通道所受压力很小，不产生变形。
-
公开(公告)号：CN118921887A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410925953.2
申请日：2024-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H05K3/42
摘要： 本发明公开了一种实现LTCC基板盲腔侧壁金属化的装置及其使用方法，所述装置包括：固定底座、固定滑杆和料槽；固定滑杆固定设置于所述固定底座顶侧，料槽套接所述固定滑杆之上；所述固定滑杆还套接有弹簧，所述弹簧设置于固定底座与料槽之间；所述料槽包括下板、弹性膜、上板和定位销钉，所述弹性膜设置于下板与上板之间，所述下板板体上设有第二通腔,上板板体上设有第一通腔，所述第一通腔内储存有第一导体浆料；所述固定底座上还设有占位块，所述占位块与第一通腔同轴设置，且占位块能够通过第二通腔；通过下压料槽从而使得占位块顶动第一通腔内储存的第一导体浆料，使得第一导体浆料涂布于固定在上板顶端的含有通腔结构的子模块的腔体内壁。
-
公开(公告)号：CN118894729A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410928733.5
申请日：2024-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板的无压式约束烧结方法，包括：基于LTCC即低温共烧陶瓷技术进行生瓷层压时，在生瓷胚体上表面设置强制压片对凸起部分强制加压，得到表面平整的LTCC胚体；将所述LTCC胚体、随动支撑块以及约束压板按照相对位置摆放在承烧板上；所述随动支撑块设置有多个，且均匀设置在LTCC胚体四周；所述约束压板设置在LTCC胚体正上方，并由随动支撑块支撑且不与LTCC胚体接触；基于LTCC共烧设备和烧结条件，对设置好随动支撑块和约束压板的LTCC胚体进行烧结，实现高平整度的LTCC陶瓷基板烧制。本发明可降低基板在烧结过程中的翘曲情况，提升LTCC基板最终平整度。
-
公开(公告)号：CN115714113A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211438626.1
申请日：2022-11-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要： 本发明提供一种集成散热微通道的LTCC基板及其制备方法，主要涉及多层陶瓷电路基板制造技术领域，包括以下步骤，S1.将生瓷片按照微通道的结构分为上部分生瓷和下部分生瓷，对各层生瓷分别进行预处理，然后叠层并层压得到上生瓷层压坯体和下生瓷层压坯体；S2.在上生瓷层压坯体或下生瓷层压坯体上制备贯通式微通道进/出水口；S3.在镂空压板上划切出贯通的开口区域，所述开口区域形状与微通道沟道结构的平面投影形状一致；S4.在叠层背板上按顺序依次放置底面离型膜片，下生瓷层压坯体，上生瓷层压坯体，顶面离型膜片，刚性金属片，镂空压板，实心顶板，形成多层叠片模块，等步骤。
-
公开(公告)号：CN118478015A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410407591.8
申请日：2024-04-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及材料制备技术领域，具体公开了一种添加稀土氧化物激光熔覆增材制备梯度硅铝的方法，具体包括以下步骤：以铝合金为基体，选择不同质量比的铝粉和硅粉进行混合，获得n组硅铝合金粉末；向n组硅铝合金粉末中分别添加稀土氧化物，获得n种熔覆材料；其中n组熔覆材料中稀土氧化物的质量占比相同；依次采用n种熔覆材料在基体表面逐层堆积，获得组元呈梯度分布的硅铝电子封装材料，其中熔覆层为n层，n≥1；对于已熔覆的熔覆层中硅含量计算，获得梯度硅铝电子封装材料。本发明通过激光熔覆，利用硅铝粉末添加稀土氧化物制备硅铝梯度材料，具有梯度层成型速度快、制备用时短、梯度层厚度易于控制等优点，而且自动化程度高，易于生产应用。
-
公开(公告)号：CN118919495A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410925954.7
申请日：2024-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种基于LTCC封装基板及天线布线盖板的AIP气密封装结构，所述AIP气密封装结构包括：LTCC封装基板、陶瓷围框和天线布线封装盖板；所述LTCC封装基板上设有功能芯片；所述陶瓷围框设置于所述LTCC封装基板上表面，且与封装基板一体化烧结成型；所述天线布线封装盖板设置于所述陶瓷围框顶侧，并与所述陶瓷围框通过焊接层焊接相连，实现对LTCC封装基板上功能芯片的气密封装。能够同时实现芯片气密封装、信号垂直互联、天线灵活布线及一体化封装，提升LTCC在AIP中的应用灵活性。
-
公开(公告)号：CN118890764A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410928765.5
申请日：2024-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板毫米波高隔离垂直传输结构，包括信号孔、环绕在信号孔外围的第一屏蔽圆环以及环绕在第一屏蔽圆环外围的第二屏蔽圆环。其中，第一屏蔽圆环包括堆叠设置的多个单层屏蔽圆环，总高度大于等于所述信号孔高度；每个单层屏蔽圆环的圆周上均匀分布有若干隔断。第二屏蔽圆环包括堆叠设置的多个单层屏蔽圆环，总高度与所述第一屏蔽圆环高度相同；每个单层屏蔽圆环的圆周上均匀分布有若干隔断，且在同一层上与第一屏蔽圆环的隔断位置旋转错开。本发明能够在基板内部实现对毫米波频段垂直传输信号的良好隔离，提升基板内部电磁兼容性。
-
公开(公告)号：CN105514060A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510831701.4
申请日：2015-11-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473
摘要： 本发明涉及LTCC陶瓷基板技术，本发明公开了一种在LTCC陶瓷基板中集成内埋散热微通道的方法，其具体包括以下的步骤：步骤一、根据散热微通道的结构需要,将LTCC生瓷片划分为N组，每张LTCC生瓷片完成互联通孔和电路图形的制作；步骤二、按照分组情况，分别进行叠层和预压，获得N个子模块；步骤三、在子模块上加工定位孔和微通道所需结构，然后将各子模块采用胶粘剂进行贴合，并在低压力下进行层压，使之成为一个完整生瓷块，所述低压力为2-50psi。最后将生瓷块进行烧结、切割，即可获得集成内埋微通道的电路、散热一体化的LTCC陶瓷基板。本发明不需要使用任何牺牲填充剂，先预压，再胶粘，然后低压层合,使得微通道所受压力很小，不产生变形。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.048 秒)
