用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法

    公开(公告)号:CN110244520A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910429757.5

    申请日:2019-05-22

    IPC分类号: G03F7/20 G03F7/16 G03F7/40

    摘要: 本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法,包括:硅片涂胶步骤:在硅片表面进行涂布电子束光刻胶;电子束曝光显影步骤:对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影,得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案;热回流步骤:对显影后的硅片进行加热;刻蚀步骤:对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法,将制作纳米柱转化为直写光栅,使直写1mm2图形时间降低到20分钟,降为原来的1/80,极大地提高了图形直写效率。

    一种基于回路成形的动态电压恢复器鲁棒控制方法

    公开(公告)号:CN102789168A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210025572.6

    申请日:2012-02-06

    IPC分类号: G05B13/04 H02J3/12

    摘要: 本发明公开了一种基于回路成形的动态电压恢复器鲁棒控制方法,包括下列步骤:S1:回路成形:选取一前置补偿器W1和一后置补偿器W2,标称受控对象P和W1、W2合并为成形后受控对象Ps,使Ps的增益在需要良好的抗干扰的频率范围内足够大,在需要良好的鲁棒稳定性的频率范围内足够小;其中Ps=W2PW1;假设W1和W2使Ps无不稳定隐含模态;S2:鲁棒镇定:利用正规化互质因式摄动系统的鲁棒镇定控制器来构成最终的控制器。本发明解决了现有技术的方法仅适用于三相平衡系统的情况,对于三相不平衡系统(考虑零序分量)无法应用,更无法应用到单相系统;而且混合灵敏度法设计时需要对三个加权函数进行选择,增加了设计的复杂度的技术问题。

    建立等效地网计算模型的方法

    公开(公告)号:CN101900765A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200910057318.2

    申请日:2009-05-26

    IPC分类号: G01R27/20

    摘要: 建立等效地网计算模型的方法,首先选定电流极的位置,然后根据接地体的实际形状使用点匹配矩量法分别对无电流极和有电流极时地网的电位分布进行仿真计算,进而建立能适用于接地电阻短距测量的等效地网计算模型。本发明提供的建立等效地网计算模型的方法,对接地网的电位分布规律进行了总结归纳,建立起能适用于接地电阻短距测量的等效地网计算模型,具有重要的工程实用价值。