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公开(公告)号：CN115216802B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210896338.4
申请日：2022-07-28
Applicant: 中国海洋大学
Inventor： 任俊伟 , 曹立新 , 刘泉理 , 任晓霞 , 董博华 , 曹俊豪 , 郝智超 , 夏水苗 , 张灿辉 , 张涛 , 杨帆 , 贾春梅 , 李梁 , 丁保华 , 刘晨 , 王成 , 刘美汐 , 李沐洁 , 柳博文 , 管志明
IPC: C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳掺杂三氧化钨与铁酸锌形成异质结的光电催化剂材料以及制备方法。实验通过精准有序的三次水热和钝化处理的方法，制备得到碳掺杂三氧化钨与铁酸锌形成异质结的光电催化剂材料。该异质结制备方法为：首先，采用去离子水、二水合钨酸钠、草酸钾、定量碳粉混合搅拌，通过水热法制备得到前驱体；然后，将前驱体进行干燥和烧结得到碳掺杂三氧化钨；然后，采用六水合氯化铁、硝酸钠、六水合硝酸锌混合进行二次水热法、烧结和氢氧化钠浸泡制备铁酸锌薄膜；最后，通过水热法负载一层钴铁氧钝化层。碳掺杂三氧化钨负载铁酸锌薄膜后形成的异质结，与普通的铁酸锌相比，具有性能优良，抗光腐蚀性能优异以及性能稳定等显著优点。
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公开(公告)号：CN105406042A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510782324.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国海洋大学
CPC classification number: H01M4/366 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/602 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种碳包覆的超长二氧化钛纳米管锂离子电池负极材料的制备方法。利用水热法制备出钛酸纳米管，酸化得到氢基管。将所得到的氢基管溶于乙醇中，加入有机大分子的乙醇溶液，然后进行低温搅拌，形成大分子包覆的氢基管，作为碳包覆的二氧化钛纳米管前驱体，再进行惰性气体保护高温热处理，得到碳均匀包覆的超长二氧化钛纳米管锂离子电池负极材料。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本低廉、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，利于工业化生产，最终得到产物质量较高，制备的高导电相物质复合的纳米管状结构可以同时实现缩短离子传输距离和提高材料的导电性、材料的离子扩散速率，使得材料具有优异的倍率性能、稳定的循环性能与高的库伦效率。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的理想锂离子负极材料。
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公开(公告)号：CN115216802A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210896338.4
申请日：2022-07-28
Applicant: 中国海洋大学
Inventor： 任俊伟 , 曹立新 , 刘泉理 , 任晓霞 , 董博华 , 曹俊豪 , 郝智超 , 夏水苗 , 张灿辉 , 张涛 , 杨帆 , 贾春梅 , 李梁 , 丁保华 , 刘晨 , 王成 , 刘美汐 , 李沐洁 , 柳博文 , 管志明
IPC: C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳掺杂三氧化钨与铁酸锌形成异质结的光电催化剂材料以及制备方法。实验通过精准有序的三次水热和钝化处理的方法，制备得到碳掺杂三氧化钨与铁酸锌形成异质结的光电催化剂材料。该异质结制备方法为：首先，采用去离子水、二水合钨酸钠、草酸钾、定量碳粉混合搅拌，通过水热法制备得到前驱体；然后，将前驱体进行干燥和烧结得到碳掺杂三氧化钨；然后，采用六水合氯化铁、硝酸钠、六水合硝酸锌混合进行二次水热法、烧结和氢氧化钠浸泡制备铁酸锌薄膜；最后，通过水热法负载一层钴铁氧钝化层。碳掺杂三氧化钨负载铁酸锌薄膜后形成的异质结，与普通的铁酸锌相比，具有性能优良，抗光腐蚀性能优异以及性能稳定等显著优点。
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公开(公告)号：CN106670498A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611145707.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种利用热注射法制备铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法。通过控制反应温度、时间以及原料用量来达到铜铟碲超薄纳米片的合成。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本较低、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，易于推广，同时此纳米片还具有一定的近红外发光性能和敏感的光电响应效应。本发明制备的材料是一种在光电方面具有一定应用前景的材料。
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公开(公告)号：CN118343825A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410549721.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种“两面神”铜基硫化物异质纳米棒的制备方法，该方法分两步进行：一，制备出形貌结构可控的二元Cu2‑xS纳米晶体；二，将Cu2‑xS晶种在200‑250℃下快速注入到In3+前驱体溶液中并反应0‑60 min。通过本发明制备的Cu2‑xS/CuInS2纳米棒尺寸形貌均一、异质界面清晰、长径比灵活可调，其独特的“两面神”异质结构不仅可以提高材料对太阳光的捕获能力，还可以促进光生载流子在界面处实现高效分离，在光催化领域具有良好应用前景。经验证，本方法不仅适用于不同尺寸、形貌、晶型的Cu2‑xS异质外延生长制备铜基硫化物异质纳米材料，还可以拓展到其他的铜基异质纳米材料（如Cu2‑xS/ZnS纳米棒）的设计合成，为构筑具有奇异空间结构和光电性质的铜基纳米异质材料提供了一种可靠的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115178278B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210831972.X
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国海洋大学
Inventor： 任俊伟 , 曹立新 , 郭昊 , 刘泉理 , 任晓霞 , 董博华 , 郝智超 , 张灿辉 , 臧传福 , 刘美汐 , 夏水苗 , 臧芳菲 , 李沐洁 , 柳博文 , 张力沣 , 李东波 , 金静怡 , 臧凤梅 , 刘晨 , 王成
IPC: B01J27/043 , B01J23/80
Abstract: 本发明公开了一种新型的铁酸锌与钴掺杂锌铟硫异质结的新型光电催化剂材料以及制备方法。实验通过精准有序的一次水热、滴涂、溶剂热和二次水热的方法，制备得到铁酸锌与钴掺杂锌铟硫异质结光电催化剂材料。该异质结的制备方法为：首先，采用去离子水、氯化铁、硝酸钠混合进行水热法制备羟基氧化铁；然后，在基底上滴涂定量配比溶剂溶解的硝酸锌溶液，进行干燥、烧结和氢氧化钠浸泡得到铁酸锌基底；然后，采用氯化锌、氯化铟、硫代乙酰胺、硝酸钴混合进行乙醇溶剂热制备钴掺杂的锌铟硫薄膜；最后，通过水热法负载一层钴铁氧钝化层。铁酸锌负载钴掺杂锌铟硫薄膜后形成的异质结，与普通的铁酸锌相比，具有性能优异，抗光腐蚀性能优异以及性能稳定等显著优点。
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公开(公告)号：CN114768831A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210598423.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国海洋大学
IPC: B01J27/043
Abstract: 本发明公开了一种新型的铁酸锌与镍掺杂锌铟硫异质结的光电催化阳极材料以及制备方法。实验通过精准有序的三次水热和滴涂实验方法，制备得到铁酸锌与镍掺杂锌铟硫异质结光电催化剂材料。该异质结的制备方法为：首先，采用去离子水、氯化铁、硝酸钠混合进行一次水热制备羟基氧化铁；然后，在基底上滴涂定量配比溶剂溶解的硝酸锌溶液，进行干燥、烧结和氢氧化钠浸泡得到铁酸锌基底；然后，采用氯化锌、氯化铟、硫脲、氯化镍混合进行第二次水热制备镍掺杂的锌铟硫薄膜；最后，通过第三次水热法负载一层钴铁氧钝化层。本发明制备的铁酸锌异质结，与普通的铁酸锌相比，具有性能优异，抗光腐蚀性能优异以及性能稳定等显著优点。
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公开(公告)号：CN106670498B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201611145707.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种利用热注射法制备铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法。通过控制反应温度、时间以及原料用量来达到铜铟碲超薄纳米片的合成。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本较低、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，易于推广，同时此纳米片还具有一定的近红外发光性能和敏感的光电响应效应。本发明制备的材料是一种在光电方面具有一定应用前景的材料。
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公开(公告)号：CN105460913A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510819184.9
申请日：2015-11-24
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种利用两相界面法制备磷酸钴超小纳米盘，超薄纳米片，超细纳米线制备方法。通过调控反应时间控制由磷酸钴超小纳米盘组装成超薄纳米片再向超细纳米线的转换。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本低廉、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，利于工业化生产，最终得到比电容在电流密度为2 A/g时可达到1174 F/g的具有优良赝电容器性能的超细纳米线纳米材料。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的理想超级电容器材料。
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公开(公告)号：CN118325600A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410470037.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 本发明公开了一种通用型CuInS2/ZnS核壳量子点的制备方法。本发明分两步进行：第一步利用高活性锌源在低温下（120‑200℃）对CuInS2量子点进行合金化处理；第二步利用低活性锌源配合活性较弱的硫源在高温下（200‑240℃）对合金化后的CuInS2量子点进行壳层修饰。合金化过程能够有效抑制晶体内部缺陷的形成，配合宽禁带壳层修饰手段，可以制备出稳定高亮的CuInS2/ZnS核壳量子点。本发明工艺简单，重复性良好，适用于具有不同尺寸、不同形貌、不同化学组分以及不同晶体结构的CuInS2量子点的表面壳层修饰；同时，制备的CuInS2/ZnS核壳量子点形貌均一，壳层厚度可控，荧光量子产率高达50~80%，可广泛用于照明显示、光伏器件、生物成像等热门领域。
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