一种原位生长的SiC增强石墨基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117088699A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311042378.3

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 本发明公开了一种原位生长的SiC增强石墨基复合材料及其制备方法,属于轴瓦材料技术领域。其包括:真空条件下,熔融的单质硅粉在毛细作用下进入到石墨的孔隙内接触并发生硅化反应原位生成碳化硅,得到含游离单质硅的SiC增强石墨基复合材料。本发明提供的SiC增强石墨基复合材料,以单质硅和石墨为原料,将熔融的液态单质硅粉在毛细作用下进入石墨内部的孔隙内,与孔隙边界上的是石墨发生硅化反应,沿着石墨孔隙表面原位生成一定厚度的碳化硅层,这层碳化硅沿着单质硅的流道成高强度的三维网格分布,剩余没有发生反应的硅单质就填充在剩余的空隙中,石墨基体以及硅单质填充相的多组份三维网络密实增强复合材料,压缩强度性能表现优异。

    一种高密度树脂基屏蔽板材及其制备方法

    公开(公告)号:CN113583385A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110885956.4

    申请日:2021-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种高密度树脂基屏蔽板材及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、将基体和粘度调节剂加入真空混料系统,搅拌均匀;S2、加入中子射线屏蔽填料和γ射线屏蔽填料,真空条件下搅拌均匀,所述中子射线屏蔽填料和γ射线屏蔽填料的粒径均小于等于40μm;S3、加入一定比例的固化剂,继续真空搅拌混匀获得混合体系,然后采用全方位移动浇注工装将混合体系浇注入板材模具中;S4、将浇注模具进行固化处理,固化完成后冷却脱模。本发明采用全角度移动式浇注工装,避免流体大范围流动从而提高均匀性;添加粘度调节剂,减小流体流速从而避免高密度屏蔽物质与基体材料分离;采用粒径较小的高密度屏蔽物质,减弱沉降从而提高均匀性。

    一种流动性可调屏蔽腻子及制备方法、应用

    公开(公告)号:CN113416443A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110885958.3

    申请日:2021-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种流动性可调屏蔽腻子及制备方法、应用,流动性可调屏蔽腻子包括基体、中子射线屏蔽填料、γ射线屏蔽填料和固化剂,还包括带有环氧基团的活性稀释剂。本发明通过向屏蔽腻子中添加一定量的带有环氧基团的活性稀释剂,通过带有环氧基团的活性稀释剂来调节屏蔽腻子的流动性,进行不同填缝结构的浇注,使用时根据不同填缝结构的具体深度和宽度合理调节活性稀释剂的用量将屏蔽腻子的粘度控制在合理范围,在确保填缝结构内填满的前提下,同时兼具良好的屏蔽性能和粘接强度。

    一种屏蔽粘接层及其拼接屏蔽体

    公开(公告)号:CN215007542U

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202120696552.6

    申请日:2021-04-06

    Abstract: 本实用新型公开了一种屏蔽粘接层及其拼接屏蔽体,解决了现有的屏蔽体拼接结构会增加屏蔽板材的加工成本,或使拼接处部分减少屏蔽厚度,降低屏蔽效果,组合拼接屏蔽体结构稳定性差的技术问题。本实用新型的屏蔽粘接层包括粘接层和屏蔽层,所述屏蔽层与所述粘接层连接,所述粘接层连接相邻的屏蔽体。本实用新型的拼接屏蔽体,包括屏蔽粘接层和至少两个屏蔽体,所述屏蔽粘接层连接相邻的屏蔽体。本实用新型具有粘结强度高,拼接稳固,屏蔽效果好等优点。

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