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公开(公告)号：CN107815725B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC: C30B7/10
Abstract: 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN108796600B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN108796600A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN107815725A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC: C30B7/10
CPC classification number: C30B7/10
Abstract: 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN104178814B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410431441.7
申请日：2014-08-28
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106526653A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611177189.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/2023
Abstract: 本发明公开一种闪烁探测器，由金属腔体、金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、光电倍增管和分压器组成；金属腔体为自探测的前端向后端贯通的中空腔体，金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、电倍增管和分压器紧固在金属腔体内，并在金属腔体内自探测的前端向后端依次排列；金属过滤层外接地线；光电倍增管的阴极连接UVT导光管，阳极与分压器相连。本发明具有高密度、超快衰减和高光输出的特点。
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公开(公告)号：CN106149045A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610728964.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC: C30B7/10
Abstract: 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜，包括釜体，所述的釜体为实心球体，在釜体上由釜体表面向釜体内部纵向开设有一腔室以形成釜体的釜腔，釜腔内存在溶解区和结晶区。采用该高压反应釜进行热液人工生长晶体，可以实现稳定的双温区温场，减缓釜腔内溶液对流，避免籽晶溶蚀，促使晶体快速、稳定地生长。
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公开(公告)号：CN112442730A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808416.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 天津理工大学
Abstract: 本发明公开了一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置，包括高压釜和对高压釜进行加热的加热炉，高压釜包括釜体及设置于釜体内的水热反应容器，该水热反应容器内存在溶解区和结晶区，在釜体外壁上套设有导热筒，所述的导热筒包括上、下导热筒及设置于二者之间的隔热阻挡层，其中上导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的结晶区，下导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的溶解区，上、下导热筒均由导热性好的金属或非金属制成，隔热阻挡层由导热性差的材料制成。本发明所述装置能够更为精准地控制温度，使高压釜生长区处于上下不同位置的晶体都具有均匀的生长速度。
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公开(公告)号：CN106149045B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610728964.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC: C30B7/10
Abstract: 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜，包括釜体，所述的釜体为实心球体，在釜体上由釜体表面向釜体内部纵向开设有一腔室以形成釜体的釜腔，釜腔内存在溶解区和结晶区。采用该高压反应釜进行热液人工生长晶体，可以实现稳定的双温区温场，减缓釜腔内溶液对流，避免籽晶溶蚀，促使晶体快速、稳定地生长。
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公开(公告)号：CN104178801B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410448170.6
申请日：2014-09-04
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC: B01J3/04
Abstract: 本发明公开了一种含有泡沫金属结晶部件的高温高压水热釜，包括置于高压釜釜体内的水热反应容器，该水热反应容器内存在溶解区和结晶区，在结晶区设置有利于晶体生长的结晶部件，该结晶部件由泡沫金属制成。通过在结晶区中设置由泡沫金属制成的结晶部件，利用泡沫金属具有的高比表面积等结构特点，产生大量的适宜晶体附着的成核位点，而且泡沫金属内部细密的网孔能够起到抓紧晶粒防止其滑落到溶解区的作用，在吸取传统温差式水热釜中以金属丝、金属片作为结晶承载体的优点的同时，解决其有效成核面积小，已长成晶粒掉落，对流过于强烈，输运受阻等缺陷，极大程度地增加了结晶效率，并促进使晶粒进一步长大，同时晶体产量也得到进一步提高。
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