硅基电子产品的减压精馏装置及方法

    公开(公告)号:CN114669071B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202210355468.7

    申请日:2022-04-06

    摘要: 本发明提供一种硅基电子产品的减压精馏装置及方法,包括原料罐、精馏装置、产品罐和再冷却装置;精馏装置包括精馏塔、塔顶冷凝器和再沸器;再沸器的出口与精馏塔的塔底气相管连接;精馏塔的高低沸出料口连接有高低沸罐;塔顶冷凝器的冷凝物料出口分别与精馏塔的物料返回口和产品罐的产品入口连接;再冷却装置包括分别与所述原料罐的气体流通口、塔顶冷凝器的未冷凝气出口、产品罐的罐顶气体管道和高低沸罐的罐顶气体管道连接的冷阱、与冷阱的未冷凝气出口连接的缓冲罐、与缓冲罐连接的真空泵和与真空泵连接的深冷器。利用本发明能够解决现有技术中操作温度较高、生产过程加热介质的消耗量高、传统减压精馏装置流程长、控制不稳定等问题。

    四氯化钛精馏装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110280038B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN201910731751.3

    申请日:2019-08-08

    IPC分类号: B01D3/14 B01D3/32 C01G23/02

    摘要: 本发明提供了一种四氯化钛精馏装置。该装置包括相互连接的第一精馏塔和第二精馏塔,用于对四氯化钛进行精馏处理,且第一精馏塔设置在第二精馏塔的上游,其中,第一精馏塔和/或第二精馏塔中的内件为丝网填料。相比于筛板或浮阀而言,丝网填料具有大通量、低压降、效率极高的特点,丝网填料的液流下降通道曲折变化,使四氯化钛液体在填料表面充分润湿,形成均匀的液膜,达到较好的传质效果。正是基于以上原因,丝网填料可以达到5块理论板/米,而筛板或浮阀仅为1~2块理论板/米。因此在同样塔高的情况下,使用丝网填料能够大大增加理论板数,而在同样理论板数的情况下,可以大大降低塔设备高度,降低土建风险。

    超高纯四氯化硅的制备方法

    公开(公告)号:CN106379902A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201610880095.X

    申请日:2016-10-09

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种超高纯四氯化硅的制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1,将高纯四氯化硅在氮气作用下连续通入光化学反应器内;S2,在紫外光照条件下,连续向光化学反应器内通入氯气,使高纯四氯化硅中的含氢杂质与氯气发生光氯化反应,得到初级产品;S3,将初级产品从汽提塔的上部通入汽提塔内,氮气从汽提塔的底部通入,以去除初级产品中未反应的氯气得到次级产品;以及S4,将次级产品送入四氯化硅提纯塔,通过连续脱轻及脱重后,得到超高纯四氯化硅。采用该方法制备的光纤四氯化硅,其纯度可达99.9999999%以上,相关基团红外透过指标满足甚至超过Merk公司高纯四氯化硅指标,达到了超高纯四氯化硅质量要求。

    三氯氢硅的提纯装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104058411A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410332033.6

    申请日:2014-07-11

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种三氯氢硅的提纯装置。上述三氯氢硅的提纯装置包括提纯塔组,其中,提纯塔组包括脱重塔组和脱轻塔组,脱重塔组包括至少两个脱重塔,脱轻塔组包括至少一个脱轻塔;按照物料流动顺序,脱重塔组设置在脱轻塔组的上游。上述提纯装置中,将所有的脱重塔均设置在脱轻塔之前,可以使三氯氢硅粗液在进行脱重工序之后再进行脱轻工序。这种前段连续脱重、后段连续脱轻的设置有利于将三氯氢硅粗液中的硅微粉杂质、高沸点氯化物及高沸点金属氯化物杂质在前段的脱重过程中被分离出来,从而将这些易造成塔组堵塞的杂质集中在前段的脱重塔(尤其是第一脱重塔)中,降低后续提纯塔和再沸器的堵塞几率。

    纯化四氯化硅的系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104058407A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410299365.9

    申请日:2014-06-26

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种纯化四氯化硅的系统,包括:精馏塔本体,精馏塔本体内自上而下依次限定出轻组分脱除区、光化学反应精馏区、精制区和重组分脱除区;粗四氯化硅入口,粗四氯化硅入口设置在轻组分脱除区和光化学反应精馏区之间;氯气入口,氯气入口设置在光化学反应精馏区和精制区之间;四氯化硅出口,四氯化硅出口设置在精制区与重组分脱除区之间;尾气出口,尾气出口设置在轻组分脱除区顶部;重组分出口,重组分出口设置在重组分脱除区底部;以及光源组件,光源组件设置在光化学反应精馏区的外壁上。该系统可以制备得到光纤用级别的四氯化硅,并且可以实现大规模连续生产。

    处理多晶硅尾气干法回收料的系统

    公开(公告)号:CN104003400A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410217169.2

    申请日:2014-05-21

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种处理多晶硅尾气干法回收料的系统,包括:第一加热装置,适于将回收料进行第一加热处理;第二加热单元,第二加热单元与第一加热装置相连,且适于将经过第一加热处理的回收料进行第二加热处理;第一精馏单元,第一精馏单元与第二加热单元相连,且适于将经过第二加热处理的回收料进行第一精馏处理,以便得到第一塔顶蒸汽和第一塔釜液,并将第一塔釜液作为热源返回至第二加热单元;以及第二精馏装置,第二精馏装置与第一精馏单元相连,且适于将第一塔顶蒸汽进行第二精馏处理,以便得到液态轻组分和第二塔釜液,并将第二塔釜液作为热源返回至第一加热装置。该系统可以实现热量和冷量的最优综合利用,从而显著降低设备投资和能耗。

    无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法

    公开(公告)号:CN103950936A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410125902.8

    申请日:2014-03-31

    IPC分类号: C01B33/107 B01D3/14

    CPC分类号: Y02P20/129

    摘要: 本发明公开了无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法,包括:(1)将第一氯硅烷进行第一精馏提纯得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液;(2)将第一塔顶蒸汽进行第一冷凝处理,并将得到第一氯硅烷冷凝液返回至第一精馏塔内;(3)将第一塔底液进行第一再沸处理并将得到第一再沸蒸汽回至第一精馏塔内;(4)将第二氯硅烷进行第二精馏提纯得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液;(5)将第二塔顶蒸汽用于第一再沸处理并将得到第二氯硅烷冷凝液返回至第二精馏塔;(6)将第二塔底液进行第二再沸处理并将得到第二再沸蒸汽返回至第二精馏塔。采用本发明的提纯氯硅烷的方法可以实现不同塔组之间的塔差压热耦合,扩大了差压热耦合的使用范围,解决了多晶硅系统中提纯工序高能耗的问题。

    硅基电子产品的减压精馏装置及方法

    公开(公告)号:CN114669071A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210355468.7

    申请日:2022-04-06

    摘要: 本发明提供一种硅基电子产品的减压精馏装置及方法,包括原料罐、精馏装置、产品罐和再冷却装置;精馏装置包括精馏塔、塔顶冷凝器和再沸器;再沸器的出口与精馏塔的塔底气相管连接;精馏塔的高低沸出料口连接有高低沸罐;塔顶冷凝器的冷凝物料出口分别与精馏塔的物料返回口和产品罐的产品入口连接;再冷却装置包括分别与所述原料罐的气体流通口、塔顶冷凝器的未冷凝气出口、产品罐的罐顶气体管道和高低沸罐的罐顶气体管道连接的冷阱、与冷阱的未冷凝气出口连接的缓冲罐、与缓冲罐连接的真空泵和与真空泵连接的深冷器。利用本发明能够解决现有技术中操作温度较高、生产过程加热介质的消耗量高、传统减压精馏装置流程长、控制不稳定等问题。

    无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法

    公开(公告)号:CN103950936B

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201410125902.8

    申请日:2014-03-31

    IPC分类号: C01B33/107 B01D3/14

    CPC分类号: Y02P20/129

    摘要: 本发明公开了无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法,包括:(1)将第一氯硅烷进行第一精馏提纯得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液;(2)将第一塔顶蒸汽进行第一冷凝处理,并将得到第一氯硅烷冷凝液返回至第一精馏塔内;(3)将第一塔底液进行第一再沸处理并将得到第一再沸蒸汽回至第一精馏塔内;(4)将第二氯硅烷进行第二精馏提纯得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液;(5)将第二塔顶蒸汽用于第一再沸处理并将得到第二氯硅烷冷凝液返回至第二精馏塔;(6)将第二塔底液进行第二再沸处理并将得到第二再沸蒸汽返回至第二精馏塔。采用本发明的提纯氯硅烷的方法可以实现不同塔组之间的塔差压热耦合,扩大了差压热耦合的使用范围,解决了多晶硅系统中提纯工序高能耗的问题。