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公开(公告)号：CN107394176A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710646145.2
申请日：2017-07-31
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种硅碳复合材料、制备方法和应用及锂离子电池负极材料，涉及锂离子电池用负极材料技术领域，该硅碳复合材料，包括三维碳材料，所述三维碳材料表面包覆有硅薄膜。利用该硅碳复合材料作为锂离子电池的负电极缓解了现有技术的硅作为负极材料时由于硅的体积变化导致硅材料与集流体脱离造成的电池性能下降的技术问题，提高了利用硅为负极材料的锂离子电池的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106298273A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610971715.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明提供了一种高能量的水系锂离子型流体电容器正负极浆料配方，其包括正极浆料和负极浆料；所述正极浆料由锂离子电池材料、导电剂和锂盐水溶液配制而成；所述负极浆料由多孔碳材料、导电剂和锂盐水溶液配制而成。本发明通过采用了锂离子电池材料作为浆料的原料，使得水系流体电容器的比容量得到显著提升；尤为重要的是，本发明通过采用非对称的流体电极构型，即不同的正、负极浆料，使器件的工作电压可达1.8V，使得该水系流体电容器比能量大大高于现有的水系流体电容器。
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公开(公告)号：CN112103353B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010851284.0
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料MnPSe3场效应晶体管结构的光电探测器，其基本元素包括：Si/SiO2衬底、MnPSe3沟道、源（s）/漏（d）电极和栅（g）电极。其特征在于：以层状MnPSe3材料作为主要光敏层的场效应晶体管光电探测器。将机械剥离的少层MnPSe3转移到Si/SiO2衬底上，应用微纳加工技术和镀膜技术制备晶体管的源、漏和栅电极。测量晶体管光、暗态下的输出（Ids‑Vds）和转移特性曲线（Ids‑Vgs），获得暗电流、光/暗电流比和光电灵敏度。在此基础上，提出多种晶体管衍生结构，包括金属颗粒修饰，量子点敏化，异质结结构和悬空结构，以及以离子液体、去离子水、聚甲基丙烯酸甲酯、氮化硼、高介电材料或铁电材料作为介电层的MnPSe3场效应晶体管。通过结构设计可以进一步改善MnPSe3场效应晶体管对光的吸收能力以及对光生载流子的分离能力，降低噪声和功耗，提高器件的光电灵敏度，增强光电响应的可调控性。
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公开(公告)号：CN114188487B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111510181.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种利用含乙酸铵的反溶剂制备具钙钛矿薄膜的太阳能电池的方法，所述方法包括将钙钛矿前驱液旋涂于设有电子传输层的导电玻璃上，并在旋涂的过程中，加入含乙酸铵的反溶剂，旋涂结束后，经过退火处理，得到钙钛矿薄膜层；在所述钙钛矿薄膜层上旋涂空穴传输层、空穴传输层上蒸镀金属电极，得到具钙钛矿薄膜的太阳能电池。本发明利用含乙酸铵的反溶剂在大气环境下制备具钙钛矿薄膜的太阳能电池，是利用乙酸铵中的NH4+，使得中间相发生阳离子交换过程，从而延缓结晶；Ac‑和钙钛矿中A位阳离子形成氢键，从而使中间相更加稳定。NH4+和Ac‑的双重作用延缓了钙钛矿膜的结晶，降低了缺陷态的密度，提高了太阳能电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN107394176B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710646145.2
申请日：2017-07-31
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种硅碳复合材料、制备方法和应用及锂离子电池负极材料，涉及锂离子电池用负极材料技术领域，该硅碳复合材料，包括三维碳材料，所述三维碳材料表面包覆有硅薄膜。利用该硅碳复合材料作为锂离子电池的负电极缓解了现有技术的硅作为负极材料时由于硅的体积变化导致硅材料与集流体脱离造成的电池性能下降的技术问题，提高了利用硅为负极材料的锂离子电池的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094375A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110340285.X
申请日：2011-11-02
Applicant: 中国地质大学(北京)
Inventor： 郝会颖
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种新型铝纳米颗粒表面等离激元增强太阳电池，属于光伏技术领域。其特征是利用磁控溅射设备在真空腔体内沉积铝膜，然后进行原位退火或氮气保护退火形成铝纳米颗粒阵列，以此激发表面等离激元，无需光刻技术。通过调节铝纳米颗粒尺寸及密度调控表面等离激元的共振频率，进而与薄膜太阳电池有源层的禁带宽度(1.2-1.7ev)进行优化匹配，利用其近场增强效应和散射效应提高光吸收，从而提高太阳电池的效率。克服了传统薄膜太阳电池陷光技术中由于采用织构而导致的载流子表面复合、有源层缺陷态密度增大的问题，且不需要湿法刻蚀、光刻等复杂工艺，因此大大降低太阳电池的成本。
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公开(公告)号：CN114188487A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111510181.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种利用含乙酸铵的反溶剂制备具钙钛矿薄膜的太阳能电池的方法，所述方法包括将钙钛矿前驱液旋涂于设有电子传输层的导电玻璃上，并在旋涂的过程中，加入含乙酸铵的反溶剂，旋涂结束后，经过退火处理，得到钙钛矿薄膜层；在所述钙钛矿薄膜层上旋涂空穴传输层、空穴传输层上蒸镀金属电极，得到具钙钛矿薄膜的太阳能电池。本发明利用含乙酸铵的反溶剂在大气环境下制备具钙钛矿薄膜的太阳能电池，是利用乙酸铵中的NH4+，使得中间相发生阳离子交换过程，从而延缓结晶；Ac‑和钙钛矿中A位阳离子形成氢键，从而使中间相更加稳定。NH4+和Ac‑的双重作用延缓了钙钛矿膜的结晶，降低了缺陷态的密度，提高了太阳能电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN110556544B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910828549.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明提供了一种Li2S‑Si半固态液流全电池，通过以不同配比的硅、导电剂I、电解液I和任选的表面活性剂I做成负极半固态活性浆料，以不同配比的硫化锂、导电剂II、电解液II和任选的表面活性剂II做成正极半固态活性浆料。本发明提供的正、负极活性浆料粘度适中，二者所组成的半固态液流全电池的电化学性能优异，同时避免了传统锂‑硫电池中活泼锂金属的使用，安全性大大提高。
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公开(公告)号：CN104392908A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410555667.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/203 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02595 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜材料的制备领域，特别涉及一种多晶硅薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；对复合薄膜进行激光辐照，非晶硅薄膜晶化，即得多晶硅薄膜材料；其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。本发明提供的多晶硅薄膜材料的制备方法，非晶硅薄膜和金属铝膜均采用磁控溅射技术获得，不需要硅烷等危险气体；在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，最高温度不超过150℃，采用廉价的玻璃衬底即可，多晶硅薄膜制备工艺中温度低，可大大降低能耗。
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公开(公告)号：CN103094404A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110340268.6
申请日：2011-11-02
Applicant: 中国地质大学(北京)
Inventor： 郝会颖
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种提高硅薄膜太阳电池光电流的方法，属于光伏技术领域。传统硅薄膜太阳电池的陷光技术主要是前、后电极采用织构结构，这种结构往往会导致载流子表面复合及有源层缺陷态密度的增大，同时由于需要湿法刻蚀，所以工艺较复杂且不易控制。为解决这些问题，本发明提供一种利用铜纳米颗粒表面等离激元增加光吸收的方法，其核心工艺是利用磁控溅射设备在真空腔体内沉积铜岛膜，然后进行原位退火形成铜纳米颗粒阵列，置于硅薄膜太阳电池的两个电极附近，以此激发表面等离激元。利用表面等离激元的近场增强效应和散射效应提高光吸收，进而提高光电流。这种方法不需要湿法刻蚀、光刻等工艺，因此电池成本将大大降低。
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