公开(公告)号：CN104392908A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410555667.8

申请日：2014-10-17

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 郝会颖 ,  何明

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及多晶硅薄膜材料的制备领域，特别涉及一种多晶硅薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；对复合薄膜进行激光辐照，非晶硅薄膜晶化，即得多晶硅薄膜材料；其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。本发明提供的多晶硅薄膜材料的制备方法，非晶硅薄膜和金属铝膜均采用磁控溅射技术获得，不需要硅烷等危险气体；在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，最高温度不超过150℃，采用廉价的玻璃衬底即可，多晶硅薄膜制备工艺中温度低，可大大降低能耗。

公开(公告)号：CN204289470U

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201520009371.6

申请日：2015-01-07

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 郝会颖 ,  何明

IPC: H01L31/0216

Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜太阳电池的减反射结构，所述减反射结构包括玻璃底板；所述玻璃底板一侧覆盖有掺铝氧化锌薄膜、掺锡氧化铟薄膜或掺氟氧化锡薄膜；所述掺铝氧化锌薄膜、掺锡氧化铟薄膜或掺氟氧化锡薄膜与所述玻璃底板之间嵌装有纳米铝颗粒层；所述纳米铝颗粒层覆盖所述玻璃底板8％至15％。本实用新型的减反射结构，解决了现有薄膜太阳能电池减反射结构陷光效果的不足，以及制备时会造成环境污染等技术问题。

公开(公告)号：CN203774346U

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201420192482.0

申请日：2014-04-18

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 郝会颖 ,  何明

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本实用新型涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极。该用于硅薄膜太阳电池的复合背电极，其特征在于，包括：铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片；所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上；多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面；其中，所有所述铝纳米片均为不规则的多边形；所述铝箔衬底为矩形，且所述铝箔衬底的厚度为0.5-1厘米；所述ZnO膜为矩形薄膜，且所述ZnO膜的厚度为15-20纳米。本实用新型提供的用于硅薄膜太阳电池的复合背电极，提高了整个背电极的散射效率，极大的增加了光在电池中的传播路程，进而可使得太阳光被电池的有源层更有效的吸收，进而增加电池的效率。