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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220519A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710151357.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备锗单晶的热压形变装置。该装置包括加热和控温系统、真空系统、压力系统等几部分。其中加热和控温系统由真空热压炉和监测炉膛温度的热电偶组成；真空系统由石英钟罩、真空泵以及连接石英钟罩与真空泵的管路组成；压力系统是通过气缸驱动推杆，同放置在石英钟罩内的下模具相连，其中真空热压炉的炉口朝下，底部固定在沿滑轨运动的传动装置上；真空系统、压力系统固定在操作平台上。该系统设计简单，工效得到较大幅度提高。
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公开(公告)号：CN100567598C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710151357.X
申请日：2007-09-30
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备锗单晶的热压形变装置。该装置包括加热和控温系统、真空系统、压力系统等几部分。其中加热和控温系统由真空热压炉和监测炉膛温度的热电偶组成；真空系统由石英钟罩、真空泵以及连接石英钟罩与真空泵的管路组成；压力系统是通过气缸驱动推杆，同放置在石英钟罩内的下模具相连，其中真空热压炉的炉口朝下，底部固定在沿滑轨运动的传动装置上；真空系统、压力系统固定在操作平台上。该系统设计简单，工效得到较大幅度提高。
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公开(公告)号：CN100523314C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710151358.4
申请日：2007-09-30
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备锗垂直聚焦中子单色器所用的锗单晶的热压形变工艺。该工艺包括锗片清洗、循环热压形变、陶瓷模具展平等步骤，其中循环热压形变步骤是指锗单晶在真空热压炉中依次完成向上弯压、展平、向下弯压、展平等工序，其中锗单晶在循环热压形变前经过了预热处理；循环热压形变过程中，热压温度为880～890℃，压力为4～6N/cm2，真空度为1～5Pa。本发明所提供的技术方案增加了锗单晶的初始位错密度，使循环热压形变后的晶体在不同位置处嵌镶分布均匀，单色束的峰反射率增强。同时本发明也采用了较低的热压形变时的真空度，简化热压形变装置的真空系统，并且由于缩短了预抽真空的时间，可以提高工效。
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公开(公告)号：CN101220520A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710151358.4
申请日：2007-09-30
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备锗垂直聚焦中子单色器所用的锗单晶的热压形变工艺。该工艺包括锗片清洗、循环热压形变、陶瓷模具展平等步骤，其中循环热压形变步骤是指锗单晶在真空热压炉中依次完成向上弯压、展平、向下弯压、展平等工序，其中锗单晶在循环热压形变前经过了预热处理；循环热压形变过程中，热压温度为880～890℃，压力为4～6N/cm2，真空度为1～5Pa。本发明所提供的技术方案增加了锗单晶的初始位错密度，使循环热压形变后的晶体在不同位置处嵌镶分布均匀，单色束的峰反射率增强。同时本发明也采用了较低的热压形变时的真空度，简化热压形变装置的真空系统，并且由于缩短了预抽真空的时间，可以提高工效。
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公开(公告)号：CN201125281Y
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200720177977.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种制备锗单晶的热压形变装置。该装置包括加热和控温系统、真空系统、压力系统等几部分。其中加热和控温系统由真空热压炉和监测炉膛温度的热电偶组成；真空系统由石英钟罩、真空泵以及连接石英钟罩与真空泵的管路组成；压力系统是通过气缸驱动推杆，同放置在石英钟罩内的下模具相连，其中真空热压炉的炉口朝下，底部固定在沿滑轨运动的传动装置上；真空系统、压力系统固定在操作平台上。该系统设计简单，工效得到较大幅度提高。
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