一种感应式电导率传感器辐射EMI仿真预测方法

    公开(公告)号:CN119475887A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411542516.9

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种感应式电导率传感器辐射EMI仿真预测方法,包括S1:建立传感器仿真模型;S2:基于感应式电导率传感器工作原理,将传感器仿真模型的探头线圈与PCB印制线路板进行元器件连接,获取探头线圈输出端口的感应电压预测模型;将预设PCB印制线路板的模型文件,导入板级电磁仿真软件中,获取PCB印制线路板工作时的近场辐射数据;S3:根据近场辐射数据选取满足预设辐射阈值对应的若干频点,并记录各频点对应的辐射电场值;S4:通过三维电磁场仿真软件设定点辐射源位置,以用于添加激励源;S5:基于探头线圈输出端口的感应电压预测模型,根据添加的激励源获取预测感应电压;S6:将预测感应电压作为交流等效电压源,并根据预构建的运算放大器工作电路,模拟并获取探头线圈输出端口的感应电压对运放芯片造成的干扰。解决了现有技术无法通过分析自身元器件辐射发射对外接器件产生的干扰并清晰的分析出在这种干扰对某些芯片产生的影响的问题。

    一种计算NiZn材料共模EMI滤波电感寄生电容的方法

    公开(公告)号:CN119885755A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411969084.X

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种计算NiZn材料共模EMI滤波电感寄生电容的方法,S1:基于NiZn材料共模EMI滤波电感的实际高频电场行为建立分布式寄生电容网络模型;S2:基于二维有限元仿真方法获取所述分布式寄生电容网络模型中的寄生电容参数;S3:建立集总电容计算公式,基于所述集总电容计算公式以及所述寄生电容参数计算NiZn材料共模EMI滤波电感的集总寄生电容。本发明基于NiZn材料共模EMI滤波电感的实际高频电场行为建立分布式寄生电容网络模型;充分考虑了磁芯材料的影响,避免了传统分布式寄生电容网络在应NiZn材料共模EMI滤波电感时产生的高误差。此外,本发明简化了获取所述分布式寄生电容网络模型中的寄生电容参数的过程,减小了有限元仿真求取参数所消耗的资源,提高了有限元仿真获取寄生电容参数的效率。

    一种涡街流量传感器结构优化设计方法

    公开(公告)号:CN119783583A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411916347.0

    申请日:2024-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种涡街流量传感器结构优化设计方法,包括构建涡街流量传感器的仿真结构模型;构建涡街流量传感器结构的加速度轴向分布曲线方程;基于流体在涡街流量传感器中的最大加速度限额值,随机设定曲线收缩结构的最大加速度所在位置,基于涡街流量传感器尺寸设定组合收缩段构件的长度;基于加速度轴向分布曲线方程,求解并获取涡街流量传感器的结构设计参数以确认结构收缩曲线方程;根据结构收缩曲线方程获取涡街流量传感器的流体流速;基于构建的结构评估指标模型,根据流体流速与结构设计参数确认满足预设期望指标的结构优化设计,既能保证流体流速的平稳过渡,又能减少湍流和流体分离现象,通过根据不同场合实现对涡街流量传感器结构的灵活优化设计,大大提高了涡街流量传感器涡街信号的稳定性与测量精度。

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