公开(公告)号：CN112626577B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202011392217.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 中国兵器工业第五九研究所

Inventor： 朱玉琴 ,  罗来正 ,  何建新 ,  王成章 ,  李佳蒙 ,  张凯 ,  封先河 ,  黄朝志 ,  吴帅 ,  舒畅

IPC: C25D5/14 ,  C25D5/12 ,  C25D5/18 ,  C25D3/12 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34

Abstract: 本发明提供了一种石英晶体电极薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)对晶振的真空镀膜进行净化和活化；B)采用镍的预镀电镀液对所述步骤A)中净化和活化后的真空镀膜进行预镀，得到预镀镍层；C)使用金属镀液在所述预镀镍层表面进行正反向电流电镀，得到晶振电镀厚度层；所述正向电镀与反向电镀的时间之比为(5～10)：1，所述正向电镀与反向电镀的电流密度之比为(3～10)：1，所述正向电镀的电流密度为1～5A/dm2。采用本发明方法可以充分净化和活化真空镀膜的表面，同时又不腐蚀基材，可以在晶振表面获得结合力良好，表面均匀的镀层，满足后续的测试要求。

公开(公告)号：CN112626577A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011392217.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 中国兵器工业第五九研究所

Inventor： 朱玉琴 ,  罗来正 ,  何建新 ,  王成章 ,  李佳蒙 ,  张凯 ,  封先河 ,  黄朝志 ,  吴帅 ,  舒畅

IPC: C25D5/14 ,  C25D5/12 ,  C25D5/18 ,  C25D3/12 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34

Abstract: 本发明提供了一种石英晶体电极薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)对晶振的真空镀膜进行净化和活化；B)采用镍的预镀电镀液对所述步骤A)中净化和活化后的真空镀膜进行预镀，得到预镀镍层；C)使用金属镀液在所述预镀镍层表面进行正反向电流电镀，得到晶振电镀厚度层；所述正向电镀与反向电镀的时间之比为(5～10)：1，所述正向电镀与反向电镀的电流密度之比为(3～10)：1，所述正向电镀的电流密度为1～5A/dm2。采用本发明方法可以充分净化和活化真空镀膜的表面，同时又不腐蚀基材，可以在晶振表面获得结合力良好，表面均匀的镀层，满足后续的测试要求。