发明授权
- 专利标题: 一种石英晶体电极薄膜的制备方法
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申请号: CN202011392217.3申请日: 2020-12-01
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公开(公告)号: CN112626577B公开(公告)日: 2023-05-19
- 发明人: 朱玉琴 , 罗来正 , 何建新 , 王成章 , 李佳蒙 , 张凯 , 封先河 , 黄朝志 , 吴帅 , 舒畅
- 申请人: 中国兵器工业第五九研究所
- 申请人地址: 重庆市九龙坡区渝州路33号
- 专利权人: 中国兵器工业第五九研究所
- 当前专利权人: 中国兵器装备集团西南技术工程研究所
- 当前专利权人地址: 400039 重庆市九龙坡区渝州路33号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 付丽
- 主分类号: C25D5/14
- IPC分类号: C25D5/14 ; C25D5/12 ; C25D5/18 ; C25D3/12 ; C25D3/32 ; C25D3/38 ; C25D5/34
摘要:
本发明提供了一种石英晶体电极薄膜的制备方法,包括以下步骤:A)对晶振的真空镀膜进行净化和活化;B)采用镍的预镀电镀液对所述步骤A)中净化和活化后的真空镀膜进行预镀,得到预镀镍层;C)使用金属镀液在所述预镀镍层表面进行正反向电流电镀,得到晶振电镀厚度层;所述正向电镀与反向电镀的时间之比为(5~10):1,所述正向电镀与反向电镀的电流密度之比为(3~10):1,所述正向电镀的电流密度为1~5A/dm2。采用本发明方法可以充分净化和活化真空镀膜的表面,同时又不腐蚀基材,可以在晶振表面获得结合力良好,表面均匀的镀层,满足后续的测试要求。
公开/授权文献
- CN112626577A 一种石英晶体电极薄膜的制备方法 公开/授权日:2021-04-09