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公开(公告)号：CN118102858B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410219698.X
申请日：2024-02-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器，属于忆阻器制备技术领域，包括纺织型忆阻器，所述纺织型忆阻器由两根相互交错镀层碳纤维搭接而成，分为上电极和底电极，所述上电极为有活泼金属铜镀层的碳纤维，所述底电极的碳纤维上堆砌有功能层，所述功能层为Cu@MoS2，并提供了其制备方法。本发明一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法，Cu@MoS2@Cf与Cu@Cf搭接的可纺织忆阻器的具有较高的开关比，较低的置位电压和底功耗等优点，并且水热法制备该复合吸波材料的操作方法简单、成本低以及可对空位浓度进行调控。
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公开(公告)号：CN118742195A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410802226.7
申请日：2024-06-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域。该纺织型忆阻器由两根相互交错的镀层碳纤维搭接而成，分为顶底电极，顶电极为活泼金属铝镀层的T700碳纤维，底电极为镀有N‑TiO2功能层的T700碳纤维。功能层由纳米棒状的Ti O2均匀地堆砌在碳纤维上，通过氮元素掺杂，降低了反应体系活化能，提高反应速率，导致TiO2纳米棒生长速率提高，产生更多的点缺陷，同时TiO2内部晶格氮含量增加，这些缺陷结构在外部电场作用下激发出空位，形成更粗壮的导电丝，从而调控TiO2层的缺陷和形貌。
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公开(公告)号：CN119859915A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510096011.2
申请日：2025-01-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BiVO4双金属氧化物的忆阻功能性纤维及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域。本发明通过一步尿素‑水热法，通过尿素分解提供的沉淀剂和结构导向剂辅助，在轻质高强的T700碳纤维电极表面沉积均匀的立方体状的BiVO4双金属氧化物，制备出具有忆阻功能性的纤维BiVO4@Cf，与化学镀镍的碳纤维Ni@Cf相互交错搭接形成柔软透气的纺织型忆阻器，每个交点处的忆阻器单元表现出优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN118742195B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410802226.7
申请日：2024-06-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域。该纺织型忆阻器由两根相互交错的镀层碳纤维搭接而成，分为顶底电极，顶电极为活泼金属铝镀层的T700碳纤维，底电极为镀有N‑TiO2功能层的T700碳纤维。功能层由纳米棒状的Ti O2均匀地堆砌在碳纤维上，通过氮元素掺杂，降低了反应体系活化能，提高反应速率，导致TiO2纳米棒生长速率提高，产生更多的点缺陷，同时TiO2内部晶格氮含量增加，这些缺陷结构在外部电场作用下激发出空位，形成更粗壮的导电丝，从而调控TiO2层的缺陷和形貌。
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公开(公告)号：CN118102858A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410219698.X
申请日：2024-02-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器，属于忆阻器制备技术领域，包括纺织型忆阻器，所述纺织型忆阻器由两根相互交错镀层碳纤维搭接而成，分为上电极和底电极，所述上电极为有活泼金属铜镀层的碳纤维，所述底电极的碳纤维上堆砌有功能层，所述功能层为Cu@MoS2，并提供了其制备方法。本发明一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法，Cu@MoS2@Cf与Cu@Cf搭接的可纺织忆阻器的具有较高的开关比，较低的置位电压和底功耗等优点，并且水热法制备该复合吸波材料的操作方法简单、成本低以及可对空位浓度进行调控。
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