一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118102858B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410219698.X

    申请日:2024-02-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器,属于忆阻器制备技术领域,包括纺织型忆阻器,所述纺织型忆阻器由两根相互交错镀层碳纤维搭接而成,分为上电极和底电极,所述上电极为有活泼金属铜镀层的碳纤维,所述底电极的碳纤维上堆砌有功能层,所述功能层为Cu@MoS2,并提供了其制备方法。本发明一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法,Cu@MoS2@Cf与Cu@Cf搭接的可纺织忆阻器的具有较高的开关比,较低的置位电压和底功耗等优点,并且水热法制备该复合吸波材料的操作方法简单、成本低以及可对空位浓度进行调控。

    一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118742195A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410802226.7

    申请日:2024-06-20

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法,属于忆阻器制备技术领域。该纺织型忆阻器由两根相互交错的镀层碳纤维搭接而成,分为顶底电极,顶电极为活泼金属铝镀层的T700碳纤维,底电极为镀有N‑TiO2功能层的T700碳纤维。功能层由纳米棒状的Ti O2均匀地堆砌在碳纤维上,通过氮元素掺杂,降低了反应体系活化能,提高反应速率,导致TiO2纳米棒生长速率提高,产生更多的点缺陷,同时TiO2内部晶格氮含量增加,这些缺陷结构在外部电场作用下激发出空位,形成更粗壮的导电丝,从而调控TiO2层的缺陷和形貌。

    一种轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫及其制备方法

    公开(公告)号:CN113823919B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202111121491.1

    申请日:2021-09-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫及其制备方法。将镍络合物溶液通过水热反应得到镍/氧化镍复合物;将镍/氧化镍复合物与包含石墨烯在内的原料分散至醇/水混合溶液中得到悬浮液;将悬浮液依次进行冷冻固化、冷冻干燥和热还原处理,即得轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫,所得吸波泡沫内部是镍/氧化镍复合物通过静电作用均匀分散在石墨烯片层上,而石墨烯片层堆叠出泡沫结构;该吸波泡沫在低频S波段具有优异的吸波性能,密度低至0.001~1g/cm3。

    一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118742195B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202410802226.7

    申请日:2024-06-20

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米棒阵列的碳纤维柔性纺织型忆阻器及其制备方法,属于忆阻器制备技术领域。该纺织型忆阻器由两根相互交错的镀层碳纤维搭接而成,分为顶底电极,顶电极为活泼金属铝镀层的T700碳纤维,底电极为镀有N‑TiO2功能层的T700碳纤维。功能层由纳米棒状的Ti O2均匀地堆砌在碳纤维上,通过氮元素掺杂,降低了反应体系活化能,提高反应速率,导致TiO2纳米棒生长速率提高,产生更多的点缺陷,同时TiO2内部晶格氮含量增加,这些缺陷结构在外部电场作用下激发出空位,形成更粗壮的导电丝,从而调控TiO2层的缺陷和形貌。

    一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118102858A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410219698.X

    申请日:2024-02-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器,属于忆阻器制备技术领域,包括纺织型忆阻器,所述纺织型忆阻器由两根相互交错镀层碳纤维搭接而成,分为上电极和底电极,所述上电极为有活泼金属铜镀层的碳纤维,所述底电极的碳纤维上堆砌有功能层,所述功能层为Cu@MoS2,并提供了其制备方法。本发明一种Cu@MoS2@Cf/Cu@Cf柔性可纺织忆阻器及其制备方法,Cu@MoS2@Cf与Cu@Cf搭接的可纺织忆阻器的具有较高的开关比,较低的置位电压和底功耗等优点,并且水热法制备该复合吸波材料的操作方法简单、成本低以及可对空位浓度进行调控。

    一种轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫及其制备方法

    公开(公告)号:CN113823919A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111121491.1

    申请日:2021-09-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫及其制备方法。将镍络合物溶液通过水热反应得到镍/氧化镍复合物;将镍/氧化镍复合物与包含石墨烯在内的原料分散至醇/水混合溶液中得到悬浮液;将悬浮液依次进行冷冻固化、冷冻干燥和热还原处理,即得轻质镍/氧化镍组装石墨烯基复合低频吸波泡沫,所得吸波泡沫内部是镍/氧化镍复合物通过静电作用均匀分散在石墨烯片层上,而石墨烯片层堆叠出泡沫结构;该吸波泡沫在低频S波段具有优异的吸波性能,密度低至0.001~1g/cm3。

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