公开(公告)号：CN113088718A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110350329.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 马运柱 ,  段欣昀 ,  黄宇峰 ,  刘文胜 ,  蔡青山 ,  刘文扬

IPC: C22B9/20 ,  C22C1/02 ,  C22C27/04 ,  B22F3/04 ,  B22F1/00

Abstract: 本发明涉及一种高致密、高熔点钨合金的短流程非自耗电弧熔炼制备方法。本发明按设计组分配取平均粒径为3～5μm的W粉与平均粒径为5μm的钽粉混合均匀后放入冷等静压包套中，通过冷等静压压制成形，得到预制块体；所述的冷等静压工艺条件包括：先将冷等静压压力逐渐增至250MPa，保压，随后以18MPa/min的速率将冷等静压压力逐渐降至160MPa，保持2min，最后以10MPa/min的速率将压力从160MPa降至常压；最后通过非自耗电弧熔炼得到高致密高熔点的钨合金或纯钨。本发明采用冷等静压一步制得结合力强的块状生坯，并结合后续工艺得到了成分均匀且致密的产品。本发明制备工艺简单可控，所得产品性能优良，便于大规模的工业化应用。

公开(公告)号：CN113088718B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110350329.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 马运柱 ,  段欣昀 ,  黄宇峰 ,  刘文胜 ,  蔡青山 ,  刘文扬

IPC: C22B9/20 ,  C22C1/02 ,  C22C27/04 ,  B22F3/04 ,  B22F1/052 ,  B22F1/14

Abstract: 本发明涉及一种高致密、高熔点钨合金的短流程非自耗电弧熔炼制备方法。本发明按设计组分配取平均粒径为3～5μm的W粉与平均粒径为5μm的钽粉混合均匀后放入冷等静压包套中，通过冷等静压压制成形，得到预制块体；所述的冷等静压工艺条件包括：先将冷等静压压力逐渐增至250MPa，保压，随后以18MPa/min的速率将冷等静压压力逐渐降至160MPa，保持2min，最后以10MPa/min的速率将压力从160MPa降至常压；最后通过非自耗电弧熔炼得到高致密高熔点的钨合金或纯钨。本发明采用冷等静压一步制得结合力强的块状生坯，并结合后续工艺得到了成分均匀且致密的产品。本发明制备工艺简单可控，所得产品性能优良，便于大规模的工业化应用。