公开(公告)号：CN112661159A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202110040499.9

申请日：2021-01-13

Applicant: 中南大学

Inventor： 李杨 ,  庞亮 ,  肖鹏

IPC: C01B32/977

Abstract: 本发明属于碳化硅纳米材料领域，具体提供一种链珠状碳化硅纳米材料、制备方法及其应用。本专利采用液相法制备前驱体溶液，再通过静电纺丝对溶液在静电力的作用下进行拉拔抽丝获得一维SiC预制体纤维膜，最后通过热处理去除杂质并结晶获得大规模连续一维SiC纳米材料。本发明制备具有链珠状分级结构的一维SiC纳米材料，是作为结构单元或复合组元的优质原料。它所具备的电学性能，在能量存储和转化、传感、光电子以及场辐射等方面具有巨大的应用价值。链珠状的分级结构，有望用于作为基体增强相来提高材料的机械性能。

公开(公告)号：CN112661159B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202110040499.9

申请日：2021-01-13

Applicant: 中南大学

Inventor： 李杨 ,  庞亮 ,  肖鹏

IPC: C01B32/977

Abstract: 本发明属于碳化硅纳米材料领域，具体提供一种链珠状碳化硅纳米材料、制备方法及其应用。本专利采用液相法制备前驱体溶液，再通过静电纺丝对溶液在静电力的作用下进行拉拔抽丝获得一维SiC预制体纤维膜，最后通过热处理去除杂质并结晶获得大规模连续一维SiC纳米材料。本发明制备具有链珠状分级结构的一维SiC纳米材料，是作为结构单元或复合组元的优质原料。它所具备的电学性能，在能量存储和转化、传感、光电子以及场辐射等方面具有巨大的应用价值。链珠状的分级结构，有望用于作为基体增强相来提高材料的机械性能。