一种金属硫属化合物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103469274A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310424108.9

    申请日:2013-09-17

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法;属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法,首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中,用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜,随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液,上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜,然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤,控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层,最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制,薄膜干燥退火时容易开裂的难题。本发明所需设备简单,制备成本低廉,所得产品性能优良等优点,便于实现产业化生产。

    一种金属硫属化合物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103469274B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201310424108.9

    申请日:2013-09-17

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法;属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法,首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中,用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜,随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液,上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜,然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤,控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层,最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制,薄膜干燥退火时容易开裂的难题。本发明所需设备简单,制备成本低廉,所得产品性能优良等优点,便于实现产业化生产。

    一种界面全光谱成像分析仪器系统

    公开(公告)号:CN103471716B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310428643.1

    申请日:2013-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种界面全光谱成像分析仪器系统,包括激光光源控制模块、定位平台模块、界面全光谱信号分光模块、界面全光谱信号采集与检测模块及上位机;本系统集成度高、适用性强且功能多统,能够同时获得准界面的红外、拉曼和和频光信号,通过本系统同时将准界面的红外、拉曼和和频光信号转化为电信号,经过上位机的处理得到三者的光谱信息及其三维图像,细致揭示分子结构、取向、吸附和热动力学等物理化学信息。

    一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102642874A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210128381.2

    申请日:2012-04-27

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。

    一种铜锌锡硫薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102251235A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110189391.2

    申请日:2011-07-07

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,是采用连续离子层吸附反应方法将同一衬底上先后或者交替浸泡在阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液中制备出Cu2SnSx薄膜和ZnS薄膜叠层预制层结构或者Cu2S薄膜和ZnSnSx薄膜叠层预制层结构,然后进行热处理得到铜锌锡硫薄膜;所述阳离子前驱体溶液中含有铜、锡、锌离子中的至少一种,所述阴离子前驱体溶液选自硫化钠溶液、硫化钾溶液、硫化氨溶液中的至少一种;所述衬底选自玻璃、PI、不锈钢片、钼片、钛片中的一种。本发明既解决了金属成分难控制的问题,又能阻止铜离子向薄膜表面迁移导致形成硫铜相。工艺方法方法简单适用,成本低廉,适于工业化生产。

    一种界面全光谱成像分析仪器系统

    公开(公告)号:CN103471716A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310428643.1

    申请日:2013-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种界面全光谱成像分析仪器系统,包括激光光源控制模块、定位平台模块、界面全光谱信号分光模块、界面全光谱信号采集与检测模块及上位机;本系统集成度高、适用性强且功能多统,能够同时获得准界面的红外、拉曼和和频光信号,通过本系统同时将准界面的红外、拉曼和和频光信号转化为电信号,经过上位机的处理得到三者的光谱信息及其三维图像,细致揭示分子结构、取向、吸附和热动力学等物理化学信息。

    一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102642874B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201210128381.2

    申请日:2012-04-27

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种二硫化亚铁半导体薄膜的制备方法,涉及用于太阳电池等的化合物半导体薄膜制备领域。本发明采用水溶液沉积方法,以硫酸亚铁或氯化亚铁水溶液为阳离子前驱体溶液,以多硫化钠水溶液为阴离子前驱体溶液。通过控制基底在前驱体溶液中浸泡的时间以及循环的次数在基底上沉积二硫化亚铁薄膜预制层。预制层在高温下进行硫化热处理以得到二硫化亚铁薄膜。本发明工艺流程短、成本低、重现性好、易于大规模连续生产、薄膜成分可控并适于大面积生长。沉积基底可以选择普通钠钙玻璃、导电玻璃和柔性不锈钢片、钛片、钼片或塑料片。所制备的薄膜厚度和成分可控、形貌致密均匀、结晶性能和光电性质良好,适用于薄膜太阳电池。

    一种铜锌锡硫薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102251235B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201110189391.2

    申请日:2011-07-07

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,是采用连续离子层吸附反应方法将同一衬底上先后或者交替浸泡在阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液中制备出Cu2SnSx薄膜和ZnS薄膜叠层预制层结构或者Cu2S薄膜和ZnSnSx薄膜叠层预制层结构,然后进行热处理得到铜锌锡硫薄膜;所述阳离子前驱体溶液中含有铜、锡、锌离子中的至少一种,所述阴离子前驱体溶液选自硫化钠溶液、硫化钾溶液、硫化氨溶液中的至少一种;所述衬底选自玻璃、PI、不锈钢片、钼片、钛片中的一种。本发明既解决了金属成分难控制的问题,又能阻止铜离子向薄膜表面迁移导致形成硫铜相。工艺方法方法简单适用,成本低廉,适于工业化生产。

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