一种基于局部方向特征和关联矩阵的金属模具跟踪方法

    公开(公告)号:CN114708298B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202210155145.3

    申请日:2022-02-21

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于局部方向特征和关联矩阵的金属模具跟踪方法,包括特征提取,目标定位,目标跟踪三部分。首先,对多个单一模具图像进行高斯滤波并提取出模具的局部方向特征。其次,由局部方向特征建立模具模板,在实际图像中通过相似性度量确定满足条件的目标点,进而通过非极大值抑制确定得到目标模具的位置。通过帧间数据关系获取目标帧间的关联矩阵,结合关联矩阵完成模具ID的标注和跟踪。最后,将获得的模具轨迹映射到三维空间。本发明提出的算法在工业模具跟踪领域获得了较高的准确率、可靠性和实时性,体现了本发明在该场景下的适用性和优越性,可以为工业机器人的工作提供技术支撑。

    铸锭模具金属溶液边界定位方法

    公开(公告)号:CN112365539B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202011256959.3

    申请日:2020-11-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种融合模板匹配与对称直线分割的铸锭模具金属溶液边界定位方法。首先利用模板匹配法检测出一块铸锭模具的位置,依据相邻铸锭间距相等的特点,计算得到多块铸锭模具的位置。然后利用铸锭模具与金属溶液颜色的偏差,采用sobel算子对铸锭区域进行边缘检测,得到铸锭内部边缘信息。由于金属溶液存在镜面反射,导致液体表面有干扰的阴影,采用一种对称直线分割的方法,筛选出四条边缘直线,最后计算四条直线的交点,得到金属溶液的矩形位置。本发明能够克服铸锭的阴影、光照变化等因素的干扰,能同时检测多个铸锭的位置,具有较强的自适应调节能力。

    半透明薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108428753B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201810254059.1

    申请日:2018-03-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法,其中,该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层,其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配,而且在V2O5空穴传输层的制备过程中,可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质,进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。

    半透明薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108428753A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810254059.1

    申请日:2018-03-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法,其中,该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层,其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配,而且在V2O5空穴传输层的制备过程中,可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质,进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。

    一种基于局部方向特征和关联矩阵的金属模具跟踪方法

    公开(公告)号:CN114708298A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210155145.3

    申请日:2022-02-21

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于局部方向特征和关联矩阵的金属模具跟踪方法,包括特征提取,目标定位,目标跟踪三部分。首先,对多个单一模具图像进行高斯滤波并提取出模具的局部方向特征。其次,由局部方向特征建立模具模板,在实际图像中通过相似性度量确定满足条件的目标点,进而通过非极大值抑制确定得到目标模具的位置。通过帧间数据关系获取目标帧间的关联矩阵,结合关联矩阵完成模具ID的标注和跟踪。最后,将获得的模具轨迹映射到三维空间。本发明提出的算法在工业模具跟踪领域获得了较高的准确率、可靠性和实时性,体现了本发明在该场景下的适用性和优越性,可以为工业机器人的工作提供技术支撑。

    一种废高钴粗晶硬质合金的再生方法

    公开(公告)号:CN111575567B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202010274419.1

    申请日:2020-04-09

    Abstract: 本发明公开了一种废高钴粗晶硬质合金的再生方法,包括以下步骤:(1)将废高钴粗晶硬质合金埋入脱碳填料中,在脱碳气氛中进行煅烧处理;其中,所述脱碳填料为氧化铝、氧化镁中的一种或两种;(2)将步骤(1)煅烧处理后的废硬质合金破碎、过筛,得废硬质合金粉末;(3)根据再生合金的组织和成分,向步骤(2)得到的废硬质合金粉末中加入Co粉和C粉,混合均匀,制粒、压制、烧结,制得再生硬质合金。本发明将高钴硬质合金埋入氧化铝和/或氧化镁颗粒中,在脱碳保护气氛中烧结,容易形成脆性的η相组织,η相的废合金组织结构疏松,易破碎,从而降低高钴硬质合金破碎能耗和破碎难度。

    一种硫化锑薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109504939A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201811555665.3

    申请日:2018-12-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开一种硫化锑薄膜的制备方法,其中,制备硫化锑薄膜的原料为只经过简单筛选的辉锑矿物。本发明利用辉锑矿物中硫化锑与其他杂质的熔点差异,结合管式退火炉镀膜及退火一步处理,制备具有可以与以高纯硫化锑(≥99.999%)作为原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制备硫化锑薄膜过程中,本发明在于既可避免制备高纯硫化锑原材料过程中所产生的环境污染问题,也可解决辉锑矿制备硫化锑薄膜时存在杂质和少硫的问题,且工艺流程简单高效,大大降低制备成本,稳定可靠,应用范围广泛,适用于绝大部分需要镀膜硫化锑的基底,是一种节能、高效、绿色、环保的方法。

    一种全固态薄膜锂离子电池3D薄膜负极及其制备方法

    公开(公告)号:CN109167061A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811002429.9

    申请日:2018-08-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种全固态薄膜锂离子电池3D薄膜负极及其制备方法,其中,全固态薄膜锂离子电池3D薄膜负极包括三维交错结构的电极集流体和覆盖在所述电极集流体表面的负极薄膜;所述负极薄膜是采用金属锑作为溅射靶、硫化氢气体作为反应气体,通过反应性磁控溅射法在所述电极集流体上沉积所形成的纳米颗粒结构的Sb2S3薄膜。本发明的技术方案中,因为在3D基底上原位生长的Sb2S3负极薄膜为纳米颗粒,颗粒之间呈二维结构,导电基底为交错网状结构,所以能够有效缓解Sb2S3负极材料在充放电过程中的体积效应,制得的3D薄膜负极比容量高,倍率及循环性能优良。

    一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107195697A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710402803.3

    申请日:2017-06-01

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/02167 H01L31/0322

    Abstract: 本发明公开了一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法,该方法是先分别制备含有钡(锶/钙)的溶液和铜锡硫溶液,然后再进一步将两种溶液在稳定剂和成膜剂存在条件下混合得到稳定的前驱体溶液,然后镀膜、预烧得到预制层,最后再经过退火工艺,制备出铜钡(锶/钙)锡硫、铜钡(锶/钙)锡硒或铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜;该方法相对现有的真空镀膜法具有操作简单、反应条件温和、对设备要求低、成本低廉、易于工业化生产的优点,制备的铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜成膜质量佳,颗粒较大,物相纯正,有利于提高薄膜材料的光伏性能。

    一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法

    公开(公告)号:CN109569658B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201910018040.1

    申请日:2019-01-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法,该方法采用一种新型的水溶液沉积方法与热处理结合的制备方法制备硫化锑薄膜,通过旋涂、浸泡、热蒸发、电沉积和光电沉积等方法在硫化锑电极表面原位生长助催化剂,制备Sb2S3/Co3O4、Sb2S3/Co‑Pi和Sb2S3/FeOOH等复合电极;提高Sb2S3电极的光电化学性能。该方法具有设备、操作简单、价格便宜和易于连续生产等优点,同时负载助催化剂之后,极大的提升了硫化锑薄膜的光电性能。

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