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公开(公告)号：CN1901112B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200610031867.9
申请日：2006-06-23
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于超级电容器RuO2涂层电极材料的热处理工艺，分别配制质量百分比为1％～10％TaCl5、5％～30％RuCl3·3H2O，溶剂均为(CH3)2CHOH，混合；将制备好的RuO2涂层去水后，浸入到①过程中配制好的混合溶液中反复提拉，每烘干一次提拉一次，提拉4～6次即可；然后在空气气氛下进行热处理，热处理加热方式为在温度100℃-300℃范围内进行阶梯式升温，热处理时间2-4.5h，阶梯式升温完成后，最后再冷却。本发明首次提出了改善RuO2薄膜与基体间的附着力工艺，能够应用于混合型超级电容器的高倍率充放型氧化物电极材料，具有一定的工业价值。
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公开(公告)号：CN101567269B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910043613.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于制备超级电容器RuO2电极材料的涂敷热分解工艺。采用纯度大于99.0％金属钽(或钛、不锈钢、镍)箔作为基片，经过打磨抛光，丙酮除油，碱液加热浸泡，混合酸洗，去离子水超声波清洗。将RuCl3和SnCl2溶于有机溶剂，配制成稠状混合溶液。将稠状混合溶液在基片上多次涂敷均匀，然后经过200～500℃热处理，使RuCl3转变成RuO2，完成成分和结构转变，提高附着力，增强薄膜的电容稳定性。用CHI660C电化学测试仪对薄膜材料的电化学性能进行测试，测定比电容达612～634F/g。附着力达15.4MPa。
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公开(公告)号：CN101556869B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910043327.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种钽电容器用钽壳内壁RuO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)钽壳预处理：将钽壳打磨、抛光和清洗；备用；2)可旋转悬挂电极的制备：采用中空石墨电极作为阳极，中空石墨电极的壁上设有多个通孔；3)电沉积工艺：以酸性氯化钌胶体水溶液为电沉积液，将所述的中空石墨电极和钽壳分别作为阳极和阴极放入所述的电沉积液中在钽壳内壁沉积RuO2薄膜；4)薄膜的热处理。该方法制备的RuO2薄膜可作为电容器的阴极材料以减少阴极材料的数量，能显著减少电容器的体积，提高电容器的体积能量密度，从而使高能电容器小型化成为可能。
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公开(公告)号：CN101533716A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910043112.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用复合薄膜电极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)对纯度大于99.95％的高纯度金属钽箔进行预处理：对所述的金属钽箔打磨粗化、打磨抛光、除油和清洗；2)电沉积工艺；3)对复合薄膜电极进行热处理。采用本工艺制备出的复合薄膜电极，在保证电容特性的基础上，可以降低贵金属钌的用量，进而降低其成本。
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公开(公告)号：CN101525760A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910043146.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于制备超级电容器RuO2电极材料的直流－示差脉冲组合电沉积技术，采用纯度大于99.95％的金属钽箔作为基片，配置RuCl3·3H2O、SnCl2和NaNO3的混合溶液，浓度分别为1～5mmol/L、0.2～1mmol/L和10～200mmol/L，经充分搅拌、静置。以石墨做阳极，金属钽片为阴极，先用1～3mA/cm2直流电流沉积0.5～1h，再采用示差脉冲电流沉积沉积2～3h，电压脉冲宽度为1～10sec，脉冲周期为2～20sec，振幅为0.01～0.02mA/cm2，每点电压增益为0.005～0.01mA/cm2，其终止电流密度为5～8mA/cm2。制备RuCl3·3H2O薄膜前驱体，薄膜自然凉干后经过200～500℃处理，升温速率为10℃/s，保温时间为2－3h。本发明首次提出采用直流－示差脉冲组合电沉积技术制备RuO2薄膜，工艺简单，操作简便，具有一定的工业价值。用CHI660C电化学测试仪对薄膜材料的电化学性能进行测试，附着力的测试采用GB5210－82拉开法，测定比电容达720F/g，附着力达11.3MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1901112A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610031867.9
申请日：2006-06-23
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种用于超级电容器RuO2涂层电极材料的热处理工艺，分别配制质量百分比为1％～10％TaCl5、5％～30％RuCl3·3H2O，溶剂均为(CH3)2CHOH，混合；将制备好的RuO2涂层去水后，浸入到①过程中配制好的混合溶液中反复提拉，每烘干一次提拉一次，提拉4～6次即可；然后在空气气氛下进行热处理，热处理加热方式为在温度100℃－300℃范围内进行阶梯式升温，热处理时间2－4.5h，阶梯式升温完成后，最后再冷却。本发明首次提出了改善RuO2薄膜与基体间的附着力工艺，能够应用于混合型超级电容器的高倍率充放型氧化物电极材料，具有一定的工业价值。
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公开(公告)号：CN1877822A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610031907.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)热挤压工艺：将Al－Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温；C)高压氧化：将热挤压材料进行高温高压氧化，保温温度为300～500℃，时间为48～96小时，氧压为0.6～0.8MPa，高压氧化后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能，减化材料的制备工 艺。
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公开(公告)号：CN101533716B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910043112.4
申请日：2009-04-15
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用复合薄膜电极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)对纯度大于99.95％的高纯度金属钽箔进行预处理：对所述的金属钽箔打磨粗化、打磨抛光、除油和清洗；2)电沉积工艺；3)对复合薄膜电极进行热处理。采用本工艺制备出的复合薄膜电极，在保证电容特性的基础上，可以降低贵金属钌的用量，进而降低其成本。
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公开(公告)号：CN1877821A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610031906.5
申请日：2006-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的球磨处理工艺：将Al－Si合金粉末进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
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公开(公告)号：CN101556869A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910043327.6
申请日：2009-05-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种钽电容器用钽壳内壁RuO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)钽壳预处理：将钽壳打磨、抛光和清洗；备用；2)可旋转悬挂电极的制备：采用中空石墨电极作为阳极，中空石墨电极的壁上设有多个通孔；3)电沉积工艺：以酸性氯化钌胶体水溶液为电沉积液，将所述的中空石墨电极和钽壳分别作为阳极和阴极放入所述的电沉积液中在钽壳内壁沉积RuO2薄膜；4)薄膜的热处理。该方法制备的RuO2薄膜可作为电容器的阴极材料以减少阴极材料的数量，能显著减少电容器的体积，提高电容器的体积能量密度，从而使高能电容器小型化成为可能。
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