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公开(公告)号：CN108658454A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810855645.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数无碱高铝硼硅酸盐玻璃及其制备方法，高Al2O3、低SiO2和ZnO部分取代MgO，以MgO、ZnO、Al2O3、SiO2及硼酸盐为原料，B2O3由硼酸、硼酸锌、硼酸镁或硼酸铝引入，氧化物的含量为：MgO：5.85％～12.37％；ZnO：0.13％～11.81％；Al2O3：29.60％～31.45％；SiO2：49.71％～52.83％；B2O3：3.03％～3.22％；MgO和ZnO总质量含量为12.50％～17.66％。本发明制备工艺简单、熔化温度低，制得的玻璃低密度、低热膨胀系数、低介电损耗和适中介电常数，用于混合电路基板、封装材料或平板显示器。
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公开(公告)号：CN108395271A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810261379.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 中南大学
IPC: C04B38/00 , C04B33/132 , C04B33/135
Abstract: 本发明公开了煤矸石-粉煤灰-硅砂尾矿体系全废渣轻质高强无机泡沫陶瓷及其制备方法。以煤矸石、粉煤灰和硅砂尾矿为原料，外加少量水作润湿剂，通过尾矿内部组成在高温下反应释放的气体而赋与泡沫陶瓷的多孔结构，获得了综合性能优良的泡沫陶瓷，废渣利用率高、制备工艺简单、成本低廉，其主要物相为钙长石相，轻质、高强、隔热、保温、防火、抗腐蚀和不产生二次污染，体积密度为0.68~0.81g.cm-3，气孔率65.2-74.7%，抗压强度为8.5-13.7MPa，抗弯强度为5.3-8.4MPa，耐酸性98.91-99.94%，耐碱性99.61-99.83%，可作为建筑物顶层、非承重墙和内外墙的隔热保温防火材料。
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公开(公告)号：CN106830690A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710124796.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种自增强增韧的氮化硅/氮化铝/镧钡铝硅酸盐微晶玻璃三元复合材料及其制备方法。该三元复合材料以镧钡铝硅酸盐玻璃粉末、氮化铝粉末以及α‑氮化硅粉末为原料，通过制坯和烧结制得，其含有β‑氮化硅棒晶。本发明所设计的三元复合材料具有低密度、高强度、高断裂韧性、高介电常数、低膨胀系数、高热导率等特点。本发明制备工艺较为简单，玻璃熔化温度和复合材料的烧结温度较低，对环境友好，生产成本较低。制得的复合材料具有较好的应用前景，可部分替代现有的高温结构材料，使用在国防军工、电子器件、高热导率陶瓷基板以及高端陶瓷零部件等领域。
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公开(公告)号：CN111484244A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010303869.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法，玻璃组成摩尔比为3～7％的B2O3、15～19.5％的Al2O3、54～62％的SiO2、0～20％的MgO、0～15％的CaO和0.5～2％的SrO，其中，优选参数为6.5～7％的B2O3、15～17％的Al2O3、61～62％的SiO2、0～12％的MgO、3～15％的CaO、0.5～2％的SrO，外加澄清剂SnO20.2～0.8wt％。本发明产品密度低、应变点高、热膨胀系数适当，密度为2.470～2.622g/cm3，应变点为732～770℃,热膨胀系数为26.18～34.15×10-7/℃，可满足显示屏对高性能电子玻璃基板的要求。
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公开(公告)号：CN107793034B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201711162897.8
申请日：2017-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种主晶相为Li2SiO3的氟化物掺杂氧氮微晶玻璃及制备方法。所述玻璃包括Si、O、Li、F、N、M元素；按摩尔比计，Si：O：Li：F：N：M＝65.5～71：149～159：66～70：5～8：10～12：2.5～4。其制备方法是：将原料混合均匀后在氮气保护下，于1430～1450℃对进行保温处理，然后在530～550℃退火，冷却，得到氧氮玻璃。接着在氮气气氛下对氧氮玻璃依次进行核化、晶化；晶化后经8～10小时均匀冷却至150～250℃，然后随炉冷却。本发明制备方法简单，熔化温度、玻璃转变温度和析晶峰温度较低，对环境友好，生产成本低，所得产品性能优良，便于大规模的工业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108706962A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810855638.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 中南大学 , 湖南博世科环保科技有限公司
IPC: C04B33/135 , C04B33/132
CPC classification number: C04B33/1352 , C04B33/132 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9692
Abstract: 本发明公开了一种煤矸石‑粉煤灰‑脱硫石膏全废渣组成体系的高强度陶瓷板或陶瓷砖及其制备方法。本方法以煤矸石、粉煤灰和脱硫石膏为原料，通过组成设计、合理的废渣搭配和优化的制备工艺获得了综合性能优良的陶瓷砖，其废渣利用率高、制备工艺简单、成本低廉，且无需添加任何烧结助剂与粘结剂，该陶瓷砖的主要物相为钙长石相，具有密度低(1.475～2.013g/cm3)、强度高(107.8～346.5MPa)、耐腐蚀性能好(＞99％)和不产生二次污染等特点。本发明固体废弃物的利用率高达100％，可有效地降低废渣对环境的污染，实现固体废弃物的循环利用和高附加值利用。
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公开(公告)号：CN106830690B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710124796.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种自增强增韧的氮化硅/氮化铝/镧钡铝硅酸盐微晶玻璃三元复合材料及其制备方法。该三元复合材料以镧钡铝硅酸盐玻璃粉末、氮化铝粉末以及α‑氮化硅粉末为原料，通过制坯和烧结制得，其含有β‑氮化硅棒晶。本发明所设计的三元复合材料具有低密度、高强度、高断裂韧性、高介电常数、低膨胀系数、高热导率等特点。本发明制备工艺较为简单，玻璃熔化温度和复合材料的烧结温度较低，对环境友好，生产成本较低。制得的复合材料具有较好的应用前景，可部分替代现有的高温结构材料，使用在国防军工、电子器件、高热导率陶瓷基板以及高端陶瓷零部件等领域。
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公开(公告)号：CN108706962B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810855638.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 中南大学 , 湖南博世科环保科技有限公司
IPC: C04B33/135 , C04B33/132
Abstract: 本发明公开了一种煤矸石‑粉煤灰‑脱硫石膏全废渣组成体系的高强度陶瓷板或陶瓷砖及其制备方法。本方法以煤矸石、粉煤灰和脱硫石膏为原料，通过组成设计、合理的废渣搭配和优化的制备工艺获得了综合性能优良的陶瓷砖，其废渣利用率高、制备工艺简单、成本低廉，且无需添加任何烧结助剂与粘结剂，该陶瓷砖的主要物相为钙长石相，具有密度低(1.475～2.013g/cm3)、强度高(107.8～346.5MPa)、耐腐蚀性能好(＞99％)和不产生二次污染等特点。本发明固体废弃物的利用率高达100％，可有效地降低废渣对环境的污染，实现固体废弃物的循环利用和高附加值利用。
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公开(公告)号：CN107793034A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711162897.8
申请日：2017-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种主晶相为Li2SiO3的氟化物掺杂氧氮微晶玻璃及制备方法。所述玻璃包括Si、O、Li、F、N、M元素；按摩尔比计，Si：O：Li：F：N：M＝65.5～71：149～159：66～70：5～8：10～12：2.5～4。其制备方法是：将原料混合均匀后在氮气保护下，于1430～1450℃对进行保温处理，然后在530～550℃退火，冷却，得到氧氮玻璃。接着在氮气气氛下对氧氮玻璃依次进行核化、晶化；晶化后经8～10小时均匀冷却至150～250℃，然后随炉冷却。本发明制备方法简单，熔化温度、玻璃转变温度和析晶峰温度较低，对环境友好，生产成本低，所得产品性能优良，便于大规模的工业化应用。
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公开(公告)号：CN111484244B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010303869.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法，玻璃组成摩尔比为3～7％的B2O3、15～19.5％的Al2O3、54～62％的SiO2、0～20％的MgO、0～15％的CaO和0.5～2％的SrO，其中，优选参数为6.5～7％的B2O3、15～17％的Al2O3、61～62％的SiO2、0～12％的MgO、3～15％的CaO、0.5～2％的SrO，外加澄清剂SnO20.2～0.8wt％。本发明产品密度低、应变点高、热膨胀系数适当，密度为2.470～2.622g/cm3，应变点为732～770℃,热膨胀系数为26.18～34.15×10‑7/℃，可满足显示屏对高性能电子玻璃基板的要求。
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