公开(公告)号：CN117701967A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311741949.2

申请日：2023-12-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 马运柱 ,  樊沛源 ,  黄宇峰 ,  刘文胜 ,  刘嘉怡 ,  王垚 ,  张磊 ,  周佳涛 ,  孙敬轩 ,  李梓怡

IPC: C22C27/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/105

Abstract: 本发明属于钨合金制备领域，具体涉及一种高强钨‑钽‑铼合金及其制备方法与应用。所述合金包括钨、钽和铼；钨、钽、铼的质量比为105～181:15～60:5～25。其制备方法是将钨粉、钽粉和铼粉混合获得混合粉，将混合粉压放电等离子烧结(SPS)烧结得到高强钨‑钽‑铼合金。本发明在钨基体中复合添加适量的钽、铼元素实现合金化，制备钨‑钽‑铼多元钨基合金，从而优化材料微观组织使得产品具优异的抗压强度与塑性，扩展其在严苛环境下的应用。本发明所开发和制备的钨‑钽‑铼合金可用作辐射屏蔽器、穿甲弹弹芯、聚能弹的弹壳、陀螺外缘转子体等。