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公开(公告)号：CN114049985B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110945812.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种导电浆料有机载体及其制备和应用；特别是一种适合低温烧结导电银浆用有机载体及其制备和应用。该有机载体的较佳方案之一包括聚乙烯吡咯烷酮5.77％、正己醇(1‑Hexanol)30.77％，二乙二醇丁醚醋酸酯30.77％、松油醇30.77％和蓖麻油1.92％。本发明解决了现有导电银浆烧结温度高、挥发表面有裂纹等问题，且原料价廉易购；制备的有机载体粘度适中，应用于导电银浆中，浆料流变性能好，印刷性能良好且分辨率高，并能实现低温烧结且烧结后电导率高，表面平整，为高分辨率、高导电率太阳能栅线板等的应用提供了必要条件。可用于高分辨率太阳能栅线板等的制备。
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公开(公告)号：CN115161773B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210829295.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸CdZnTe单晶的无损伤缺陷控制技术。本发明以CdZnTe晶片为处理对象；通过液相退火的方式来消除内部的位错和非晶相沉淀的缺陷；液相退火所用液体中含有Cd元素。本发明通过这种液相退火的方式可以快速有效提升晶片的红外透过率和电阻率，并且对晶体表面不造成晶格损伤，实现大尺寸单晶的无损伤缺陷控制。本发明所采用的方法操作简单，并且能够有效的改善单晶光电性能，具有较强的使用价值和经济效益。
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公开(公告)号：CN115161773A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210829295.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸CdZnTe单晶的无损伤缺陷控制技术。本发明以CdZnTe晶片为处理对象；通过液相退火的方式来消除内部的位错和非晶相沉淀的缺陷；液相退火所用液体中含有Cd元素。本发明通过这种液相退火的方式可以快速有效提升晶片的红外透过率和电阻率，并且对晶体表面不造成晶格损伤，实现大尺寸单晶的无损伤缺陷控制。本发明所采用的方法操作简单，并且能够有效的改善单晶光电性能，具有较强的使用价值和经济效益。
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公开(公告)号：CN114049985A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110945812.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种导电浆料有机载体及其制备和应用；特别是一种适合低温烧结导电银浆用有机载体及其制备和应用。该有机载体的较佳方案之一包括聚乙烯吡咯烷酮5.77％、正己醇(1‑Hexanol)30.77％，二乙二醇丁醚醋酸酯30.77％、松油醇30.77％和蓖麻油1.92％。本发明解决了现有导电银浆烧结温度高、挥发表面有裂纹等问题，且原料价廉易购；制备的有机载体粘度适中，应用于导电银浆中，浆料流变性能好，印刷性能良好且分辨率高，并能实现低温烧结且烧结后电导率高，表面平整，为高分辨率、高导电率太阳能栅线板等的应用提供了必要条件。可用于高分辨率太阳能栅线板等的制备。
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